ㅣ데일리포스트=곽민구 기자ㅣRF 질화갈륨(GaN) 반도체 전문기업 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)의 핵심 RF GaN 칩 국산화 기술 개발을 본격화한다.
웨이비스는 “국방기술진흥연구소와 협약을 체결하고 L-SAM 다기능레이더 송신부에 탑재되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩 국산화를 추진한다”고 15일 밝혔다. 이번 사업은 해외 의존도가 높은 핵심 부품을 대체해 조달 불확실성을 줄이고 후속 군수지원 역량을 강화하는 것이 핵심이다.
회사 측은 자체 생산시설을 활용해 RF GaN HEMT 칩의 설계 및 제조를 진행하며, 개발된 칩을 기반으로 패키지트랜지스터 및 고출력증폭보드를 제작해 단계별 검증을 추진한다. 칩 단위 평가부터 L-SAM 체계 구성품 연계시험까지 순차적으로 실시해 요구 성능을 충족시킬 계획이다.
개발 완료 후에는 L-SAM 유지·보수 수요 대응을 시작으로 국산화 인증과 규격화를 거쳐 후속 양산 및 수출형 레이더, 유도무기체계 등으로 적용 범위를 넓혀갈 방침이다.
웨이비스 관계자는 “이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 확대하는 중요한 계기”라며 “국내 유일의 팹 인프라와 독자 기술력을 바탕으로 핵심 부품의 공급 안정성과 군수지원 역량을 강화하겠다”고 말했다.
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