불붙는 반도체 주도권 경쟁…삼전·하닉 이어 中·대만 '증설 러시'

[이데일리 조용석 기자] 글로벌 반도체 기업들이 인공지능(AI) 반도체 수요 폭발에 맞춰 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 외에 중국, 대만 업체들까지 대규모 증설에 나서고 있다.

SK하이닉스가 청주에 건설 예정인 M17 팹 조감도 (사진 우측에 위치한 주황색 지붕 건물이 M17). (사진=SK하이닉스)

9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 이사회를 열고 용인 반도체 클러스터의 두 번째 팹인 ‘Y2’와 충북 청주의 신규 팹 ‘M17’ 건설에 각각 35조2000억원과 19조1000억원 등 총 54조3000억원을 투자하기로 의결했다.

이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터와 청주 생산기지에 각각 600조원과 100조원을 투입할 계획이다. 당초 2045년으로 예정했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점도 2033년으로 12년 앞당겨 총 4기의 팹 건설을 마친다.

삼성전자도 국내외 생산기반을 빠르게 넓히고 있다. 삼성전자는 최근 2분기 콘퍼런스콜에서 미국 텍사스주 테일러 팹2를 올해 말 착공하겠다고 발표했다. 양산 목표 시점은 2030년이다.

올해 가동을 준비 중인 테일러 팹1의 현지 인력 확보에도 나섰다. 삼성전자는 최근 테일러 팹에서 근무할 내년 여름 인턴십 참가자 모집을 시작했다. 공학 전공 졸업생을 대상으로 한 대졸 신입 채용 프로그램 ‘삼성 이머징 엔지니어 개발’(SEED) 모집도 진행하고 있다.

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설하고 있는 반도체 공장.(사진=삼성전자)

대만에서는 파운드리와 메모리 업체가 동시에 투자에 나섰다. 대만 현지 매체 등에 따르면 TSMC는 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 주요 고객사의 주문 증가에 대응해 일부 5나노 생산라인을 3나노로 전환하고 있다. 이에 따라 3나노 월 생산능력은 당초 예상보다 2∼3개월 빠른 올해 말 18만장에 이를 전망이다. 2나노 월 생산능력도 올해 말 10만장에 근접한 뒤 2028년 18만장까지 확대될 것으로 예상된다. TSMC는 올해 자본지출 전망치도 기존 520억∼560억달러에서 600억∼640억달러로 상향했다.

대만 D램 업체 난야는 오는 2029년까지 신규 D램 공장 ‘팹 5A’에 최대 3466억 대만달러(약 15조2000억원)를 투자할 계획이다. 창사 이래 최대 규모다. 난야는 팹 5A에 10나노급 1b·1c·1d·1e 공정을 순차적으로 적용하고 극자외선(EUV) 노광장비도 도입할 예정이다.

중국 창신메모리(CXMT)의 추격도 거세다. CXMT는 베이징 이좡 지역에 두 번째 12인치 D램 공장을 건설하는 방안을 검토하고 있다. 현재 가동 중인 공장과 상하이·허페이에서 추진하는 증설 계획이 모두 완료되면 전체 생산능력은 월 30만장 수준에서 60만장 이상으로 증가할 전망이다.

이 같은 증설의 배경에는 당분간 공급 확대가 수요 증가를 따라가기 어렵다는 전망이 깔려 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서에서 올해 D램 공급충족률이 -1∼2%에 머물 것으로 예상했다. 내년에는 수요 증가 속도가 공급 확대를 웃돌면서 수급 격차가 오히려 커질 것으로 내다봤다. 반도체업계 한 관계자는 “최근 반도체 증설에 따른 의미있는 증산은 내년 하반기에나 가능할 것”이라며 “공급 부족은 당분간 계속 이어질 것”이라고 했다.

다만 일각에서는 동시다발적인 증설이 메모리 치킨게임으로 번질 수 있다는 우려도 있다. 특히 국가 지원을 받는 CXMT가 수익성보다 점유율 확대를 우선할 경우 범용 D램을 중심으로 출혈경쟁이 재연될 수 있다는 관측이 나온다.