[엠투데이 이상원기자] AI(인공지능) 서버용 고성능 메모리(HBM)를 중심으로 수요가 공급을 크게 앞지르면서 올해 하반기에도 메모리 가격이 큰 폭으로 오를 것이라는 전망이 나왔다.
메모리 산업 컨설턴트이자 전 삼성전자 중국 임원인 에단 탄은 최근 투자자 대상 브리핑에서 “2026년 3분기 DRAM 가격이 전 분기 대비 40~50% 상승하고, 4분기에는 추가로 30~40% 오를 가능성이 있다”고 전망했다. 전망이 현실화 될 경우, 하반기에만 메모리 가격이 최대 90% 가까이 급등하는 셈이다.
이는 기존 시장 예상치를 크게 웃도는 수준으로, AI 데이터센터 투자 확대가 메모리 시장의 공급 부족을 더욱 심화시키고 있다는 분석이다.
현재 글로벌 DRAM과 NAND 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3개 기업이 사실상 주도하고 있다. 이들 업체는 일반 PC나 스마트폰용 메모리보다 수익성이 높은 AI 서버용 HBM 생산을 확대하고 있으며, 폭발적으로 증가하는 AI 데이터센터 수요에 대응하기 위해 생산 역량을 이 부문에 집중하고 있다.
그러나 AI 시장의 성장 속도가 생산능력 확대를 앞지르면서 일반 소비자용 메모리 공급은 상대적으로 부족해지고 있다. 데이터센터 수요가 세 업체의 생산 능력을 넘어선 상황이 장기화되면서 일부 메모리의 경우, 가격이 최근 2년 간 최대 700%까지 상승했다.
이 때문에 PC와 스마트폰은 물론 게임 콘솔 등 소비자 전자제품의 제조원가도 크게 오르고 있고 애플 등 글로벌 IT 업체들은 최근 제품 가격을 잇달아 인상하며 메모리 가격 상승 부담을 소비자에게 전가시키고 있다.
분석기관들은 첨단 공정 전환에도 불구하고 2026년 메모리 공급 증가율은 7~8% 수준에 머물 것으로 예상되는 반면, AI 시장은 여전히 빠르게 성장하고 있어 메모리 반도체 공급 부족 현상이 2027년 말까지 이어질 것으로 전망하고 있다.
이 때문에 메모리 가격이 내년에도 연간 40~45% 이상 추가 상승할 가능성이 있다고 분석하고 있다.
반면, 신규 생산 라인 확대와 AI 투자 증가세가 점차 안정되면 2028년에는 메모리 가격이 15~20% 하락할 가능성도 제기되고 있다.
업계는 중국 메모리 업체 CXMT도 DDR5 제품을 앞세워 점유율을 높이고 있지만, 단기간 내 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론을 따라잡기는 어려울 것으로 내다 보고 있다.
첨단 HBM과 차세대 DDR6 생산에는 EUV(극자외선) 노광장비 등 최첨단 제조기술이 필요한데, 미국의 수출 규제로 중국 업체들의 장비 확보가 쉽지 않기 때문이다.
다만 중국 NAND 기술은 빠르게 발전하고 있어 2028년에는 글로벌 경쟁력을 확보할 가능성도 제기된다.
Copyright ⓒ M투데이 무단 전재 및 재배포 금지
