삼성전자가 3월 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 개막한 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 엔비디아의 차세대 그래픽 가속기(GPU) 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 선보였다.
이날 업계에 따르면 삼성전자는 이번 행사에서 전용 부스에 설치한 'HBM4 Hero Wall'과 'Nvidia Gallery'를 통해 자사 메모리, 로직, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 결집한 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 집중 부각한다는 전략이다.
특히 엔비디아와의 전략적 파트너십이 단순 기술 협력을 넘어 인공지능(AI) 인프라 전반으로 확장되고 있다는 점을 소개한다.
삼성전자는 이번 전시에서 1c D램 공정과 Foundry 4나노 기반의 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원하며, 첨단 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding) 적용으로 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 구현할 수 있다. 이를 통해 삼성전자는 고성능 HBM 시장에서의 기술 선도와 차세대 AI 인프라 구현 경쟁력을 입증했다.
삼성전자는 또한 베라 루빈 플랫폼에 필요한 모든 메모리 솔루션을 전 세계에서 유일하게 공급할 수 있는 역량을 부각했다. 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 소캠2(SOCAMM2), PM1763 스토리지를 함께 전시하며, 양사의 협력을 강조했다.
소캠2는 서버용 LPDDR 기반 메모리 모듈로 품질 검증을 완료했고, PM1763 SSD는 PCIe Gen6 기반으로 AI 워크로드 성능을 현장에서 직접 시연할 수 있도록 구성됐다. 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753을 공급하며 AI 시스템 확장성도 강화했다.
부스는 'AI 팩토리(AI Factories, AI Data Center)', '로컬 AI(Local AI, On-device AI)', '피지컬 AI(Physical AI)' 세 개 존으로 나뉘어 차세대 삼성 메모리 아키텍처인 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등도 공식 소개됐다. 이를 통해 AI 인프라 전반에서 삼성 메모리 솔루션의 성능과 확장성을 체험할 수 있도록 했다.
행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청 발표를 통해 AI 인프라 혁신에서 삼성의 메모리 토탈 솔루션이 담당할 역할과 비전을 제시한다. 이번 발표와 전시를 통해 양사는 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 선도하겠다는 의지를 명확히 보여줄 것으로 기대된다.
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