삼성전자와 어플라이드 머티리얼즈가 차세대 반도체 공정 혁신을 위해 협력을 한층 강화한다.
어플라이드 머티리얼즈는 11일(현지시간) 자사 IR 사이트를 통해 삼성전자가 미국 실리콘밸리에 건설 중인 50억 달러(약 7조2426억원) 규모의 에픽(EPIC) 센터 공동 연구개발(R&D) 프로그램에 합류한다고 발표했다. 에픽 센터는 올해 개관 예정으로, 첨단 반도체 공정 기술과 제조 장비 분야에서 세계 최대·최첨단 공동 R&D 시설로 조성된다.
에픽 센터는 말 그대로 '전자 및 광자 혁신 센터'를 말한다. 반도체 인재 양성과 산업 생태계 강화를 위한 핵심 거점이다.
어플라이드 머티리얼즈는 첨단 노드 스케일링과 차세대 메모리 아키텍처, 극한의 3D 통합을 가속화하기 위한 재료공학 혁신 공동 개발에 초점을 맞춘다고 설명했다. 기존 반도체 개발이 단계별로 분리된 순차 구조였다면, 에픽 센터는 병렬 개발과 신속한 기술 이전을 통해 연구개발에서 양산까지 걸리는 시간을 수년 단위로 단축하는 것을 목표로 한다.
전영현 삼성전자 부회장 겸 CEO도 "양사는 오랜 파트너십을 바탕으로 최첨단 반도체 장비 기술을 발전시켜 왔다"며 "새로운 EPIC 센터에서 기술 협력을 더욱 심화하길 기대한다"고 말했다.
게리 디커슨 어플라이드 머티리얼즈 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "전 세계적인 AI 인프라 확대로 에너지 효율이 높은 칩에 대한 수요가 전례 없이 증가하고 있다"며 "삼성과의 협력을 통해 차세대 제조 기술을 그 어느 때보다 빠르게 시장에 선보일 것"이라고 밝혔다.
프라부 라자 어플라이드 머티리얼즈 반도체제품그룹(SPG) 회장은 "첨단 반도체의 복잡성이 높아질수록 공정 전반의 핵심 단계를 병렬로 개발하는 것이 성능과 수율, 비용 개선에 중요하다"며 "삼성전자가 창립 멤버로 합류해 반도체 생태계의 새로운 혁신 동력을 함께 만들게 됐다"고 강조했다.
이번에 추진되는 에픽 센터는 첨단 패터닝·식각·증착 공정에서 원자 단위 혁신을 추진하고, 현 세대보다 여러 단계 앞선 노드에 적용될 신규 소재 및 공정 기술을 공동 개발한다. 차세대 로직과 메모리 칩 구현을 위한 기반 기술 확보가 핵심 과제다.
최첨단 클린룸을 갖춘 에픽 센터는 올해 중 가동을 목표로 하고 있으며, 생태계 전반에 차세대 공정에 대한 조기 접근을 제공해 제품 로드맵을 앞당기고 R&D 투자 효율을 극대화할 방침이다. 업계에서는 이번 협력이 AI 시대를 겨냥한 반도체 초격차 경쟁에서 양사의 전략적 결속을 한층 강화하는 계기가 될 것으로 보고 있다.
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