삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 'HBM4'를 설 연휴 직후 세계 최초로 양산 출하하며 인공지능(AI) 반도체 시장 주도권 탈환에 나선다. 이전 세대의 부진을 만회하고 성능은 물론 생산과 기술면에서 경쟁사 대비 우위를 확보하겠다는 전략이다.
8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 시점을 설 연휴 이후인 이달 셋째 주로 확정한 것으로 알려졌다. 앞서 품질 검증을 마치고 구매주문(PO)을 받은 데다, 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'의 일정과 맞물려 출하 계획이 최종 조율된 것으로 전해진다. 완제품 모듈 테스트를 위한 HBM4 샘플 물량도 이번 주문에서 크게 늘어난 것으로 관측된다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난 달 열린 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "2월부터 최상위 속도 11.7Gbps 제품을 포함한 고대역폭메모리(HBM)4 양산 출하가 예정돼 있다"며 "이미 정상적으로 양산에 투입돼 생산이 진행 중"이라고 설명한 바 있다.
엔비디아는 내달 열리는 'GTC 2026'에서 삼성전자 HBM4가 탑재된 베라 루빈을 공개할 것으로 예상된다. HBM4 양산이 공식화되는 것은 이번이 처음이다.
삼성전자 HBM4는 업계 기준을 뛰어넘는 최고 사양으로 평가된다. JEDEC 표준(8Gbps)을 크게 넘어 최대 11.7Gbps 전송 속도를 구현했으며, 이는 전작 HBM3E(9.6Gbps) 대비 약 22% 향상된 수치다. 단일 스택 기준 메모리 대역폭은 최대 3TB/s로 2.4배 높아졌고, 12단 적층을 적용해 최대 36GB 용량을 제공한다. 추후 16단 적층 기술이 적용되면 48GB까지 확장 가능하다.
삼성은 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 결합하는 독자 기술 조합을 채택했다. 또 로직·메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '원스톱 솔루션' 체제를 통해 공정 효율과 생산 속도 시너지를 극대화한다는 계획이다. 저전력 설계 덕분에 데이터센터의 전력 소비와 냉각 비용 절감 효과도 기대된다.
시장 예상치도 긍정적이다. 삼성은 올해 HBM 출하량이 전년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고, 평택캠퍼스 4공장에 신규 생산 라인을 구축 중이다.
한편 SK하이닉스도 HBM4 양산 확대에 속도를 내고 있다. 엔비디아의 추가 발주 가능성에 대응하기 위해 증산을 검토 중이며, 마이크론이 공급망 경쟁에서 사실상 제외되면서 삼성전자와 SK하이닉스가 베라 루빈용 HBM 공급을 양분할 전망이다.
AI 메모리 주도권을 둘러싼 두 회사의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다. 지난 1월 열린 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 SK하이닉스는 HBM3E 중심의 시장 점유율 1위를 강조했고, 삼성전자는 2월 HBM4 출하 및 HBM 매출 3배 성장 목표를 제시하며 정면 승부를 예고한 바 있다.
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