특히 일부 제품들의 국내 최초 상용화를 통해 외산 부품 의존도를 낮춰 국내 공급망 안정성 제고에 대한 기대감이 나오고 있다.
디시오는 1700V·2000V·2300V SiC(실리콘카바이드) MOSFET(모스펫) 상용화에 성공했다고 15일 밝혔다.
이번 회사의 SiC MOSFET 제품은 1200V·1700V·2000V·2300V 4가지 전압 등급으로 구성됐으며, 1700V 이상 제품은 국내 최초 상용화를 강점을 내세웠다.
또한 1200V 제품은 핵심 지표인 단위 면적당 온저항(Rₛₚ)이 2.2mΩ·cm²로 글로벌 톱티어 그룹과 경쟁할 수 있는 수준이란 평가가 나오고 있다.
업계에 따르면 현재 1200V·1700V급 SiC 디바이스 및 모듈 시장에서 인피니언, 미쓰비시전기, 울프스피드, 롬(ROHM) 등의 업체들이 글로벌 경쟁력을 갖춘 것으로 알려졌다.
디시오 관계자는 “1200V급에서 확보한 Low Rₛₚ 설계·공정 기술을 기반으로 1700V·2000V· 2300V로 전압을 끌어올리면서도 손실과 발열을 효과적으로 억제한 것이 이번 개발의 핵심”이라고 말했다.
이에 1700~2300V 제품군을 대용량 신재생에너지 설비 및 고전압 산업용 인버터 시장 공략에 주력 제품으로 삼는다는 계획이다.
특히 회사는 풍력·태양광 인버터, ESS(에너지저장장치)의 PCS, 고압 산업용 모터 드라이브, DC 배전 및 전력변환 장치 등에서 기존 실리콘 IGBT 기반 시스템 대비 효율과 전력밀도에서 경쟁력을 갖췄다고 설명했다.
회사는 기술력을 바탕으로 산업용 인버터, UPS(무정전전원장치), 용접기·인덕션, 데이터센터용 전원장치 등 고효율 요구 산업 인프라 시장에 뛰어든다는 방침이다.
디시오는 해당 제품들을 신재생에너지·전기차·산업용 전력변환 장치 분야 국내 주요 대기업과 공급 협의 단계에 있다고 전했다.
강미선 디시오 대표는 “이번 고성능 SiC MOSFET 출시는 국내 전력반도체 기술 수준을 한층 끌어올린 의미 있는 성과”라며 “앞으로도 SiC 기반 소자와 고전력 모듈의 제품군을 확장해 글로벌 시장에서도 확실한 기술 경쟁력을 입증하겠다”고 말했다.
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