삼성전자가 19일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 주주, 기관투자자, 경영진이 참석한 가운데 제56기 정기 주주총회를 개최했다. 한종희 삼성전자 대표이사 부회장이 이날 의장을 맡았다. /사진=삼성전자
19일 오전 경기 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 '제56기 삼성전자 정기주주총회'에서 ▲제56기 재무상태표 승인의 건 ▲사외이사 김준성·허은녕·유명희·이혁재 선임의 건 ▲사내이사 전영현·노태문·송재혁 선임의 건 ▲이사 보수 한도 승인의 건 ▲감사위원 신제윤·유명희 선임의 건 등 상정된 안건이 모두 원안대로 의결됐다.
이번 안건에서 눈에 띄는 점은 반도체 전문가 3인에 대한 이사 선임이다. 이전까지 관료·금융 위주였던 이사회 성격에 새로운 변화를 준 것이다. 이들의 합류로 이사회 내 반도체 전문가는 기존 1명에서 3명으로 늘었다.
전영현 DS부문장(부회장) 지난해 5월부터 디바이스솔루션(DS) 부문장을 맡으며 반도체 사업을 이끌었다. 같은 해 11월 조직개편을 계기로 메모리사업부장과 미래 혁신 기술을 연구하는 삼성미래기술연구원(SAIT) 원장도 겸직 중이다.
송재혁 DS 부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)은 낸드플래시 메모리 개발 전문가다. 메모리사업부 플래시 PA팀 담당 임원을 거쳐 메모리사업부 SCS 담당 임원, 플래시 PA팀장, 플래시 개발실장을 지냈다.
사외이사진에 합류한 이혁재 서울대학교 전기정보공학부 교수 역시 인공지능(AI) 반도체와 시스템반도체 분야의 전문가다. 이 교수는 서울대 인공지능 반도체 대학원 사업단장, 한국공학한림원 반도체특별위원회 공동위원장, 서울대 반도체공동연구소장 등을 맡고 있다.
삼성전자의 이번 이사회 선임은 최근 반도체 사업 전 분야에 걸친 부진을 극복하려는 움직임으로 보인다. 삼성전자는 최근 SK하이닉스, TSMC 등과의 경쟁에서 밀려 저조한 실적을 기록고 있다.
한종희 삼성전자 대표이사 부회장도 이날 "지난해 AI 반도체 시장에 적절하게 대응하지 못했다"며 "기술 경쟁력에 대한 시장 우려가 커지면서 주가가 약세를 보였다"고 고개를 숙였다.
전영현 DS부문장(부회장)이 19일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 제56기 정기 주주총회에 참석한 모습. /사진=삼성전자
메모리 분야는 선단 공정 기반 HBM 적기 개발로 차세대 AI 제품 경쟁력을 확보한다. HBM Bit 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 확대하고 커스텀 HBM 준비를 통해 고수익 반도체 시장에 적극 대응한다는 계획이다. 낸드의 경우 고성능 고용량 SSD 등 고부가 차별화 제품 강화를 통해 사업의 질을 제고할 방침이다.
수직 채널 트랜지스터(VCT)와 본딩(Bonding) 기술과 같은 차세대 기술의 경쟁력 확보에 집중하는 등 미래 반도체 개발 역시 선제적으로 준비한다.
파운드리에서는 누설전류를 줄이는 GAA, 차세대 D램, 첨단 패키징 기술을 연계해 제품 경쟁력을 높인다. 강점 분야인 모바일 외에도, HPC용 최고 수준의 고성능·저전력 반도체를 공급한다. 차량용(Auto)의 경우 고객 맞춤형 공정 솔루션을 제공해 고성장 분야에 대응할 계획이다.
시스템 LSI사업부는 제품 경쟁력을 강화해 안정적 성장을 위한 사업 내실화를 추진한다. SoC는 차세대 플래그십 스마트폰 탑재를 위해 성능 극대화에 주력한다. 이미지 센서는 고화소 경쟁력을 바탕으로 신규 고객 확보와 신시장 진입으로 점유율을 확대한다. 디스플레이 IC 기술 차별화, 전력관리 IC 사업 확대 등도 추진할 예정이다.
아울러 선단 공정 PPA를 개선해 고객을 확대함과 동시에 초도·성숙 수율을 개선해 수익성을 확보한다. 레거시 공정은 고객 맞춤 대응을 통해 사업을 확장하고 가동률 개선으로 비용을 절감한다.
전 부회장은 "빠르면 올해 2분기, 늦으면 하반기부터 HBM3E 12단으로 빠르게 전환해서 고객의 수요를 맞춰 램프업 예정"이라며 "다가올 시장이 HBM4 시장인데 HBM3와 같은 과오를 되풀이하지 않기 위해 지금부터 하반기 양산을 목표로 개발을 진행 중"이라고 말했다.
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