[M투데이 이상원기자] 미국이 지난 2020년부터 중국의 첨단 반도체 기술에 대한 접근을 제한하기 시작한 이후 중국이 규제를 신속하게 우회할 것이라는 우려에도 불구하고 여전히 한국, 대만 등에 최대 15년 가량 뒤처져 있는 것으로 분석됐다.
반도체 생산에 필수적인 EUV(극자외선) 노광장비를 공급하는 네덜란드 ASML의 크리스토프 푸케(Christophe Fouquet)CEO는 최근 네덜란드 NRC와의 인터뷰에서 중국에는 EUV 장비가 부족하기 때문에 한국과 대만 등 선두 주자를 따라잡기 위해 고군분투하고 있지만 현 시점에서 중국의 반도체 칩 기술 수준은 10년에서 15년 전에 머물러 있다고 말했다.
그는 중국 반도체 기업들이 사용하고 있는 가장 발전된 sub-5nm 실리콘 노드에는 최신 EUV(극자외선) 리소그래피 장비가 필요하지만 중국 반도체 제조업체들은 이보다 성능이 떨어지는 DUV(심자외선) 리소그래피 개발에 몰두하고 있다고 밝혔다.
노광장비는 반도체 기판에 매우 복잡한 회로 패턴을 새기는 공정으로, 중국은 미국의 대중국 장비 수출 금지 조치 이후 반도체 자립을 위해 수년간 자체 개발을 진행해 오고 있지만 아직 첨단 반도체를 안정적으로 양산하는 데 필요한 노광장비 개발은 완료하지 못하고 있다.
ASML은 7나노 이하 첨단 반도체 생산에 필요한 최첨단 EUV 노광장비를 전 세계에서 독점 공급하고 있다. 이 때문에 세계 최대 반도체 생산업체인 대만 TSMC, 한국 삼성전자, 미국 인텔 등이 EUV 노광장비 확보에 사활을 걸고 있다.
ASML은 최근까지는 ‘Twinscan NXT:2000i’ DUV 노광장비를 판매할 수 있었으며 중국 SMIC는 이 장비를 이용, 7nm 반도체 칩을 생산해 왔다.
중국의 일부 매체에서는 SMIC가 이 장비를 이용, 5nm 반도체 칩 생산도 가능하다고 보도하고 있다.
중국 공업정보화부는 지난해 9월 중국산 노광장비들이 "중요한 기술적 도약을 이뤘고 자체 지식재산권을 보유했다고 밝혔다.
하지만 중국이 개발했다는 DUV 노광장비는 파장 193nm에서 작동하며 해상도 65nm 미만, 오버레이 정확도 8nm 미만으로 현재 시장에서 구매할 수 있는 최첨단 제품보다는 한참 뒤처져 있는 것으로 알려졌다.
이 때문에 글로벌 스마트폰 시장에서 강력한 경쟁력을 발휘했던 화웨이는 SMIC의 7nm 칩을 주력인 Mate 70에 사용하면서 성능이 크게 떨어졌다.
푸케 CEO는 ASML이 EUV 리소그래피 장비를 개발하는데 20년이 걸렸고, 그 중 일부 기술은 현재 공개되고 있지만, 중국이 현재의 EUV 능력을 따라잡으려면 못해도 10년에서 15년이 걸릴 것이라면서 그때쯤이면 ASML은 한 차원 높은 ‘High-NA EUV 리소그래피’로 완전히 전환될 수 있을 것이라고 말했다.
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