[엠투데이 이세민기자] SK하이닉스가용인과 청주에 신규 팹(Fab)을 건설키로 했다고 7일 공식 발표했다.
SK하이닉스는 이날 이사회 결의를 거쳐 용인 Y2와 청주 M17 팹 건설에 각각 35조2000억 원, 19조1000억원 등 약 54조원을 투자키로 결정했다.
이번 투자 결정은 지난 6월 밝힌 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정의 일환으로, SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입키로 하고 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이다.
SK하이닉스는 "AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않으며, 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력"이라며 "면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다"고 밝혔다.
용인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 조성하는 총 4기의 팹 중 두 번째 팹으로, 연면적 34만1000평 규모의 D램 생산 거점으로 구축되며, 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이다. 여기서는 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산하게 된다.
앞서 Y1은 2027년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 현재 공사가 진행되고 있다.
SK하이닉스는 당초 2045년으로 예정했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 12년 가량 앞당겨 2033년까지 4기 팹 건설을 완료키로 했다. Y2 건설은 조정 일정을 뒷받침하는 두 번째 단계로, 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행될 예정이다.
시장조사기관 옴디아(Omdia)에 따르면 D램과 낸드 수요는 지난해부터 2030년까지 두 시장 모두 연평균 19%의 성장률을 유지할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 이를 일시적 호황이 아닌, 메모리가 단순 부품을 넘어 AI 성능 자체를 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으며 나타나는 구조적 성장으로 보고 이같은 투자를 결정했다.
이번 투자액에는 Y2에서 근무할 구성원을 위한 업무∙복지시설을 갖춘 지원동과 개발 제품의 실험∙테스트∙분석을 통합 운영하는 연구개발통합센터, 부대시설 등의 건설 비용이 포함됐다.
경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만 평 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터는 Y2 가동까지 필요한 1단계 전력∙용수 인프라 구축이 99%의 공정률로 마무리 단계에 접어들었다.
낸드는 AI 서비스가 본격 확산되면서 엔터프라이즈 SSD를 중심으로 수요가 빠르게 늘고 있다. 여기에 AI 추론 과정의 KV 캐시 저장 수요가 더해졌고, 에이전틱(Agentic)∙피지컬AI가 도입되면서 낸드가 적용되는 분야는 앞으로 더욱 확대될 전망이다.
SK하이닉스는 새로운 낸드 생산 거점으로 청주를 택한 이유는 가장 빠르게 팹을 건설할 수 있기 때문이라고 설명했다.
청주캠퍼스에는 낸드를 생산하는 M11∙M12∙M15가 이미 자리 잡고 있어 기존 팹과 연계한 효율적 생산이 가능하고, 부지와 전력∙용수도 상당 부분 갖춰져 있다.
청주 M17은 연면적 20.6만 평 규모로 구축되며, 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 오픈할 예정이다. 투자 기간은 2031년 4월까지로, 사업 일정에 맞춰 단계적으로 집행할 예정이다.
SK하이닉스는 고객들과 논의해 온 중장기 수요를 바탕으로 생산 인프라를 선제적으로 확보하는 한편, 실제 생산능력은 고객이 필요로 하는 시점에 맞춰 확대해 나간다는 계획이다. 팹 건설은 계획된 일정에 따라 진행하고, 클린룸 증설과 장비 투입은 수요 흐름에 맞춰 순차적으로 이어가며 투자 효율성을 높인다는 방침이다.
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