|데일리포스트=송협 대표기자| 삼성전자가 미국에서 개최된 메모리·스토리지 전문 전시회 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 기술과 AI 메모리 대응 전략을 표명했다.
삼성전자는 지난 4일(현지시간)부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 FMS 2026 현장에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 실물 모형(Mock-up)을 세계 최초로 출품하고 인공지능 시대를 겨냥한 반도체 기술 로드맵과 미래 발전 방향을 공유했다.
전시 현장에서는 약 20평 규모의 공간을 확보해 AI 클라우드 서버를 메인 테마로 한 부스를 차렸으며 D램과 낸드플래시(NAND), 스토리지 등 30여 개 품목을 진열했다. 해당 공간은 ▲하이라이트 ▲클라우드 AI ▲엣지 AI 코너로 구획돼 최신 AI 메모리 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 안내했다.
행사 개막날 플래시개발실 이진엽 부사장과 D램개발실 김경륜 상무가 'AI 혁신의 물결을 이끌다: 메모리 및 스토리지 아키텍처의 3D 혁신'을 주제로 대표 연설에 나섰다. 두 발표자는 차세대 3D 메모리 기술을 축으로 AI 인프라 확장에 대응하기 위한 기술적 대안을 마련했다고 강조했다.
이들은 특히 400단 이상의 적층 기술이 집약된 'V10 BV-NAND'가 세계 최초로 베일을 벗었다. 웨이퍼 본딩 및 3-스택(Stack) 공정을 채택해 메모리 집적도를 기존 V9 제품 대비 약 58% 끌어올렸다고 전했다.
차세대 AI 시스템용 신규 메모리 구조로 제시된 zHBM은 AI 가속기 상부에 HBM을 수직 배치하는 방식을 채택했다. 이를 통해 데이터 이동 거리를 단축하고 처리 속도와 전력 소비 효율을 크게 개선시켰다.
zHBM은 메모리와 AI 가속기 사이의 인터레이어 영역에 맞춤형 IP를 구현할 수 있어 메모리 용량과 연산 능력을 자유롭게 조율할 수 있다. 향후 주요 고객사들과의 협력 개발 과정을 거쳐 제품의 종합 성능을 더욱 강화한다는 구상이다.
낸드 라인업에서는 차세대 규격인 zNAND-O가 함께 소개됐다. zNAND-O는 TSV(실리콘 관통 적층) 기술을 활용해 4단 또는 8단 칩을 3차원으로 패키징한 형태다. 온디바이스 AI 환경에서 데이터 수신 및 처리 능력을 극대화하는데 주력했다.
이외에도 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 AI 데이터센터 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에 투입되는 최첨단 메모리 제품들이 배치됐다. 특히 HBM5 실물 모형을 통해 신규 열관리 솔루션인 HPB가 도입된 구조를 시연했다.
한편 삼성전자는 메모리와 로직, 파운드리, 첨단 패키징 공정을 하나로 묶는 반도체 통합 개발 체계도 언급됐다. 설계부터 양산까지 이어지는 일괄 지원 체계를 통해 고객사의 제품 개발 기간을 줄이고 퍼포먼스를 확보해 나갈 방침이다.
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