AI 병목 뚫고 차세대 시장 선점···SK하이닉스, HBM4E 샘플 공급

SK하이닉스의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E). [사진=SK하이닉스]

[이뉴스투데이 김진영 기자] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 가속기용 초고성능 D램인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 제품의 샘플을 주요 고객사에 공급했다. HBM3부터 HBM4까지 축적한 양산 경험을 바탕으로 차세대 AI 메모리 시장 선점에 속도를 낸다는 계획이다.

SK하이닉스는 HBM4E 12단 샘플 공급을 시작했다고 18일 밝혔다. HBM4E는 이전 세대인 HBM4보다 데이터 처리 성능과 전력 효율, 방열 성능을 개선한 제품이다.

신제품은 핀당 최대 초당 16기가비트(Gbps)의 데이터 처리 속도를 구현했다. 에너지 효율도 HBM4보다 20% 이상 높여 AI 학습과 추론 과정에서 대량의 데이터를 빠르게 처리할 수 있도록 했다.

최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연도 줄였다. 높은 대역폭을 사용하는 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 메모리다. 생성형 AI가 확산되면서 그래픽처리장치(GPU)와 함께 대규모 데이터를 빠르게 주고받는 핵심 부품으로 자리 잡고 있다.

SK하이닉스는 신제품에 독자적인 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 적용했다. MR-MUF는 여러 개의 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳혀 회로를 보호하는 기술이다.

이를 통해 12단 적층 기준 48기가바이트(GB)의 용량을 구현하면서 제품의 구조적 안정성도 높였다. 열 저항은 HBM4보다 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 관리할 수 있도록 했다.

AI 가속기의 성능이 높아질수록 메모리의 데이터 처리 속도뿐 아니라 전력 소비와 발열 관리의 중요성도 커지고 있다. SK하이닉스는 처리 속도와 에너지 효율, 방열 성능을 함께 개선해 차세대 AI 시스템에서 발생할 수 있는 병목현상을 줄이겠다는 구상이다.

회사는 HBM3와 HBM3E, HBM4를 양산·공급하며 축적한 기술과 생산 역량을 HBM4E에도 적용할 계획이다. 고객사와의 협력을 통해 요구 성능을 제품에 반영하고 차세대 AI 인프라 구축을 지원한다는 방침이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 이끌 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하고 풀스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 강화하겠다”고 말했다.