SK하이닉스, 차세대 AI용 'HBM4E' 12단 샘플 주요 고객사 공급

SK하이닉스 HBM4E. SK하이닉스 제공 [뉴스락]

[뉴스락] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다.

이번에 공급한 HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 대폭 개선했다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 갖춰 대규모 데이터의 신속한 처리가 필수적인 AI 학습 및 추론 시스템에 최적화됐다.

또한 에너지 효율을 20% 이상 향상해 전력 소모를 크게 줄였다. 최근 글로벌 IT 기업들의 대규모 컴퓨팅 시스템과 차세대 AI 데이터센터 구축이 확대되며 고대역폭 환경에서도 지연 없이 안정적으로 동작하는 메모리 수요가 급증하는 상황에 맞춰 설계 최적화를 이뤄냈다.

신제품에는 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정이 적용돼 12단 적층 기준으로 48GB의 대용량을 구현했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 패키징 공정이다.

SK하이닉스는 이 공정을 통해 칩의 구조적 안정성을 높이는 동시에, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서 발생하는 메모리 발열 문제를 효과적으로 제어했다.

SK하이닉스는 기존 HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 이번 HBM4E 제품에서도 핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기할 방침이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속해서 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.