삼성전자, 세계 첫 'HBM4E 12단' 공급 돌입..."AI 메모리 판 바꾼다"

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. 삼성전자는 HBM4 세계 최초 양산 출하에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 개시하며 메모리 시장의 기술 리더십을 다시 한번 증명했다. 사진=삼성전자 [뉴스락]

[뉴스락] 삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장의 주도권 확보에 속도를 내고 있다. 세계 최초 HBM4 양산에 이어 차세대 제품인 'HBM4E 12단' 샘플 공급까지 시작하며 글로벌 AI 반도체 시장에서 기술 초격차 전략을 본격화하는 모습이다.

삼성전자는 최근 글로벌 고객사를 대상으로 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E 12단' 샘플 공급을 개시했다고 29일 밝혔다.

지난 2월 업계 최고 속도의 HBM4 양산 출하에 성공한 이후 불과 수개월 만에 차세대 제품 공급까지 이어가며 차세대 AI 메모리 시장 선점 경쟁에서 한발 앞서 나갔다는 평가가 나온다.

HBM은 AI 가속기와 GPU 성능을 좌우하는 핵심 메모리다. 특히 생성형 AI와 대규모 언어모델(LLM) 확산으로 글로벌 빅테크 기업들의 AI 서버 투자 경쟁이 본격화되면서, 고성능·고효율 HBM 확보가 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다.

이번에 공급된 HBM4E 12단은 속도와 대역폭, 전력 효율 측면에서 전작 대비 성능을 대폭 끌어올린 것이 특징이다.

핀당 동작 속도는 최대 16Gbps를 지원해 기존 HBM4 대비 20% 이상 향상됐으며, 단일 스택 기준 초당 3.6TB 수준의 대역폭을 구현했다. 이는 초거대 AI 모델 연산과 고성능 AI 데이터센터 환경에서 병목 현상을 최소화할 수 있는 수준이라는 평가다.

용량 경쟁력도 강화됐다. HBM4E 12단 제품은 최대 48GB 용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 개선됐으며, 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단) 제품군까지 라인업을 확대할 계획이다.

업계에서는 이번 HBM4E의 핵심 경쟁력으로 삼성전자의 '원스톱 턴키' 구조를 꼽는다.

삼성전자는 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했다.

메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 수직계열화된 공급망을 모두 확보한 기업은 사실상 삼성전자가 유일하다는 점에서 경쟁사 대비 차별화된 생산 안정성과 양산 경쟁력을 갖췄다는 평가가 나온다.

특히 초미세 공정 기반 안정성과 수율 확보가 동시에 요구되는 HBM 시장 특성상, 삼성전자의 자체 파운드리 활용 전략은 향후 대규모 AI 인프라 시장 확대 과정에서 강점으로 작용할 가능성이 크다는 분석이다.

전력 효율과 발열 성능도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 설명했다.

AI 데이터센터 시장에서 전력 소모와 발열 문제는 핵심 경쟁 요소로 꼽힌다. 업계에서는 이번 HBM4E가 AI 서버 운영 비용 절감과 안정성 측면에서도 경쟁력을 확보할 가능성이 높다고 보고 있다.

삼성전자는 이번 샘플 공급 이후 고객사 일정에 맞춰 본격적인 양산 공급에 돌입할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발실 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 진행하며 기술 리더십을 다시 한번 입증했다"며 "선제적인 생산 인프라 투자와 기술 초격차 전략을 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초 양산에 돌입한 HBM4 공급도 확대하고 있다. 업계에서는 HBM4와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼, 이번 HBM4E 역시 조기 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있다.