[엠투데이 이세민 기자] 삼성전자가 인공지능 서버의 핵심 부품인 고대역폭메모리, HBM 시장에서 차세대 제품 경쟁에 속도를 내고 있다.
올해 2월 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어 불과 수개월 만에 7세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 주도권 확보에 나섰다.
삼성전자는 29일 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플을 세계 최초로 출하했다고 밝혔다.
HBM4E는 기존 HBM4의 뒤를 잇는 차세대 제품으로, 대규모 언어모델과 차세대 AI 시스템의 연산 성능을 높이는 데 쓰인다.
이번 제품에는 삼성전자가 HBM4에서 검증한 1c, 10나노급 6세대 D램과 4나노 파운드리 공정이 적용됐다.
삼성전자는 설계와 공정 최적화를 통해 속도, 용량, 전력 효율을 모두 끌어올렸다고 설명했다.
HBM4E의 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작인 HBM4보다 20% 이상 향상된 수치다.
단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB에 달해 대형 AI 모델 학습과 추론 과정에서 데이터 처리 속도를 높일 수 있다.
용량도 확대됐다. 이번 HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 늘어났다.
삼성전자는 향후 고객사의 서비스 환경에 맞춰 32GB 8단 제품과 64GB 16단 제품으로 라인업을 확대할 계획이다.
전력 효율과 열 관리 성능도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 밝혔다.
AI 데이터센터의 전력 소비와 발열 관리가 중요한 과제로 떠오른 만큼, 효율 개선은 고객사 평가에서 주요 경쟁 요소가 될 전망이다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급에 나설 예정이다.
이와 별도로 HBM4도 양산 공급을 확대하고 있다. 글로벌 고객사들은 삼성 HBM4의 속도와 전력 효율에 대해 긍정적인 평가를 내놓고 있는 것으로 전해졌다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”고 말했다.
그는 이어 “앞으로도 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 주도할 것”이라고 밝혔다.
HBM 시장을 둘러싼 경쟁은 더 치열해질 전망이다. SK하이닉스도 조만간 HBM4E 샘플을 출하할 것으로 예상된다.
당초 올해 하반기 샘플 출하가 예상됐지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨질 가능성이 거론되고 있다.
AI 반도체 수요가 급증하면서 HBM은 메모리 업계의 핵심 승부처로 떠올랐다. 삼성전자가 HBM4E 샘플을 선제적으로 공급한 만큼, 향후 글로벌 AI 반도체 고객사의 검증 결과와 양산 일정이 차세대 HBM 경쟁의 분수령이 될 것으로 보인다.
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