삼성, SK하이닉스 앞서 HBM4E 승부수···세계 최초 12단 샘플 출하

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. [사진=삼성전자]

[이뉴스투데이 김진영 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 차세대 제품 샘플 공급까지 진행하면서 AI 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다.

삼성전자는 HBM4E 12단 제품이 차세대 AI 가속기에 적용될 수 있는 고성능 메모리 제품이라고 29일 밝혔다. 이번 샘플 공급은 기존 HBM4 제품군에 이어 차세대 HBM 라인업을 확대하는 차원이다. 회사는 고객사 일정에 맞춰 향후 양산 공급을 추진할 계획이다.

HBM4E는 핀당 동작 속도 14Gbps에서 최대 16Gbps를 지원한다. 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB로, 대규모 언어모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 연산 성능을 높이는 데 초점을 맞췄다.

용량도 확대됐다. 12단 제품은 48GB 용량을 구현했으며, 전작 대비 용량이 30% 이상 늘었다. 삼성전자는 고객사 수요에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대한다는 계획이다.

HBM4E 12단 제품. [사진=삼성전자]

이번 제품에는 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이가 적용됐다. 삼성전자는 메모리와 파운드리 역량을 함께 활용해 수율과 양산성을 확보하는 데 주력했다. 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 원스톱 턴키 솔루션을 기반으로 공급 안정성도 강화한다는 방침이다.

전력 효율과 발열 특성도 개선됐다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다. 고부하 AI 연산 환경에서 발열과 전력 소모를 줄이는 데 초점을 맞춘 것이다.

삼성전자는 HBM4 양산 공급도 확대하고 있다. 지난해 12월 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP 테스트에서 11.7Gbps 속도를 입증했다. HBM4와 HBM4E에 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼, HBM4E의 양산 전환 가능성도 높다는 평가가 나온다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 진행했다”며 “기술 경쟁력과 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도하겠다”고 말했다.