삼성전자, HBM4 양산 이어 HBM4E 샘플 세계 최초 출하(상보)

[이데일리 공지유 기자] 삼성전자가 세계 최초로 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 샘플을 출하하면서 HBM 시장 주도권 굳히기에 나섰다.

삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.(사진=삼성전자)

삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다. 기존 계획했던 로드맵을 앞당겼다는 설명이다.

앞서 삼성전자는 지난 2월, 업계 최고 속도를 구현한 6세대 HBM4 양산 출하에 세계 최초로 성공했다. 이어 약 3개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 AI 메모리 시장에서 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 초당 14기가비트(Gbps)에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다.

또한, 단일 스택 기준 초당 3.6테라바이트(TB)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량 측면에서도 HBM4E 12단 제품은 48기가바이트(GB)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며, 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 빈틈없이 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자는 전작인 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 반도체 위탁생산(파운드리) 4나노 로직 다이(Die)를 적용했는데, 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보, 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 압도적인 진입장벽을 구축한 것으로 평가받는다.

또한, 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선했다. 고부하 AI 연산 환경에서 치명적인 발열 문제를 완벽히 해결함으로써 제품의 장기 신뢰성을 보장하고, 글로벌 데이터센터의 전력 소모 절감에도 획기적인 솔루션을 제공할 수 있다고 회사는 설명했다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 제품을 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 강조했다.