TSMC, 2029년 A13·A12 로드맵 제시…고가 하이-NA EUV는 일단 보류

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TSMC, 2029년 A13·A12 로드맵 제시…고가 하이-NA EUV는 일단 보류

위클리 포스트 2026-04-23 17:14:36 신고

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TSMC가 2029년까지의 선단 공정 로드맵을 내놨다. A13과 A12를 차세대 축으로 제시하면서도, ASML의 하이-NA EUV 장비 도입은 서두르지 않겠다는 판단을 분명히 했다. 미세화 경쟁이 계속되는 가운데서도, 비용 효율과 수율, 패키징 확장성을 함께 고려한 현실적 접근이 더 중요해졌다는 점을 보여준다.

TSMC has laid out its process roadmap through 2029, adding A13 and A12 to its advanced-node sequence while choosing to extend the life of current EUV tools rather than move immediately to ASML’s most expensive High-NA systems.

TSMC가 2029년까지 이어지는 차세대 공정 로드맵을 공개했다. N2 이후 N2P와 N3A, N2X와 A16, A14를 거쳐 A13과 A12까지 이어지는 흐름이다. 선단 공정 미세화는 계속 밀어붙이되, 공정 전환 속도보다 경제성과 확장성을 함께 따지는 방식으로 방향을 잡은 것이 특징이다.

가장 먼저 눈에 띄는 것은 A13이다. A13은 A14의 후속 축소 공정으로 제시됐다. 다이 면적은 A14 대비 6% 줄어든다. 절대적인 수치만 놓고 보면 극적인 도약이라기보다 정교한 최적화에 가깝다. 대신 A14와의 완전한 하위 호환성을 확보해 고객사의 설계 전환 부담을 낮추는 방향을 택했다. HPC, AI, 모바일을 모두 겨냥한 범용 선단 노드라는 점도 분명히 했다. 생산 시점은 2029년이다.

A12는 그보다 한 단계 더 나아간 노드다. A14 계열을 바탕으로 하면서 슈퍼 파워 레일 기술을 적용해 백사이드 전력 전달 구조를 강화하는 방향이다. 이 역시 2029년 생산이 목표다. 결국 A13과 A12는 같은 해에 배치되지만, 하나는 면적 축소와 호환성, 다른 하나는 전력 전달 혁신 쪽에 무게를 두고있다.

N2 계열의 확장도 제시됐다. N2U는 N2P 대비 속도는 2~4% 높이고, 같은 성능 기준 전력은 8~10% 줄이는 방향으로 설계됐다. 로직 밀도는 N2P보다 1.02~1.03배 높다. 고성능 연산과 모바일을 모두 아우르는 균형형 공정으로 배치되며, 생산 시점은 2028년이다. 신공정의 첫 세대보다 성숙한 수율과 안정성을 제공하는 중간 해법에 가깝다.

더 중요한 대목은 공정 자체보다 투자 우선순위다. TSMC는 2029년까지 ASML의 하이-NA EUV 장비를 본격 도입하지 않겠다는 입장을 분명히 했다. 이유는 단순하다. 비용이다. 하이-NA가 기술적으로 의미 없는 선택이라는 뜻은 아니다. 다만 현재 단계에서는 기존 EUV 장비를 최대한 활용하면서도 충분한 미세화와 성능 개선 효과를 낼 수 있다는 판단이다. 선단 공정 경쟁이 장비 도입 시점보다, 기존 인프라를 얼마나 효율적으로 연장해 쓰느냐의 문제로도 바뀌고 있다는 의미다.

패키징 로드맵도 같은 맥락에 놓여 있다. CoWoS는 5.5 레티클 크기까지 확장되고, 2028년에는 10개 컴퓨트 다이와 20개 HBM 스택을 담는 14 레티클급 구성이 예정돼 있다. 2029년에는 SoW-X로 40 레티클급 확장도 제시됐다. 선단 공정 미세화만으로는 AI 칩 수요를 감당할 수 없고, 결국 대형 패키징과 시스템 집적 기술이 함께 커져야 한다는 판단이다.

3D 적층과 광인터커넥트도 같은 축이다. A14 기반 SoIC 적층은 2029년 생산이 예고됐고, COUPE 기반 코패키지드 옵틱스는 2026년 생산 단계에 들어간다. COUPE는 기판 위 플러거블 광학 모듈 대비 전력 효율을 두 배 높이고 지연시간은 10분의 1 수준으로 줄이는 방향으로 제시됐다. 공정, 적층, 패키징, 광연결을 하나의 체계로 묶는 방식이 이미 표준 로드맵 안으로 들어왔다는 의미다.

TSMC의 로드맵은 분명한 메시지를 던진다. 1.3나노와 1.2나노라는 숫자 경쟁은 계속되지만, 실제 승부는 더 이상 선폭 명칭만으로 갈리지 않는다. 비용을 통제하면서 수율을 확보하고, 패키징과 적층, 광인터커넥트까지 통합해 고객이 원하는 시스템 수준의 성능을 제공할 수 있느냐가 핵심이다. 하이-NA EUV를 서두르지 않는 TSMC의 선택도 그 현실을 반영한 결정으로 읽힌다.
 

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