중국 메모리 업계가 HBM 양산 경쟁에 속도를 내고 있지만, 핵심 D램 업체 CXMT의 HBM3 개발 지연이 변수로 떠올랐다. 패키징 기술과 시제품 단계 진전은 확인됐지만, 실제 양산 체계는 아직 준비되지 않은 상태다. 글로벌 업체들이 HBM3E와 HBM4로 넘어가는 시점에서 지연은 중국 AI 반도체 생태계 전반에 부담으로 작용할 가능성이 크다.
China’s domestic HBM push is accelerating, but CXMT’s delay in HBM3 mass production exposes a critical weak point in the country’s AI memory strategy, just as global rivals move on to HBM3E and HBM4.
중국 메모리 업계의 HBM 진입이 속도를 내고 있지만, 정작 핵심 D램 업체인 CXMT는 HBM3 양산 단계에서 발이 묶였다. 중국이 AI 반도체 자립을 위해 메모리 내재화를 서두르는 상황에서, 지연은 일정 문제를 넘어 공급망 전체의 약점으로 이어질 가능성이 있다.
중국 업체들은 최근 HBM 관련 기술 공개를 잇달아 내놓고 있다. 세미콘 차이나 2026에서는 JCET가 2.5D 적층 기반 HBM3E 패키징 기술을 선보였다. 스택당 960GB/s 대역폭과 세대 대비 20% 높아진 인터커넥트 밀도를 내세웠다. 패키징 측면에서는 중국 내 기술 축적이 빠르게 이뤄지고 있다는 신호다.
문제는 제조다. JCET의 HBM3E 기술은 설계와 패키징 단계에서는 의미가 있지만, 실제 생산 역량은 자체적으로 갖추지 못한 상태다. 결국 외부 제조 역량에 의존해야 한다. HBM은 패키징만으로 완성되지 않는다. 베이스 다이와 적층 D램, 인터포저, 패키징, 수율 관리가 함께 맞물려야 한다. 중국 업체가 일부 공정을 확보하더라도 전체 밸류체인을 독자적으로 닫지 못하면 양산 경쟁력은 제한될 수밖에 없다.
CXMT의 상황은 더 절망적이다. 회사는 HBM3를 2026년 상반기 투입하는 일정을 검토했지만, 아직 양산 발주조차 내지 못한 상태로 정리된다. 현재는 시험 단계에 머물러 있고, 필요한 공급 물량도 샘플 생산 수준에 그친다. 개발 진전은 있었지만, 이를 양산 체계로 전환할 정도의 준비는 끝나지 않았다는 의미다.
더 뼈아픈 이유는 시장의 시간표가 빠르게 바뀌고 있기 때문이다. 글로벌 D램 업체들은 이미 HBM3E 양산 확대와 HBM4 전환에 속도를 내고 있다. 엔비디아 베라 루빈과 AMD MI400 같은 차세대 AI 데이터센터용 칩이 HBM4를 본격적으로 요구하는 시점에, 중국은 아직 HBM3 양산 문턱을 넘지 못하고 있는 셈이다. 세대 차이가 벌어질수록 단순 성능 격차가 아니라 고객사 확보와 플랫폼 채택 경쟁에서도 밀릴 가능성이 커진다.
중국 AI 반도체 업체에도 부담이다. 화웨이를 비롯한 중국 내 AI 칩 업체는 결국 외부 메모리 솔루션에 더 오래 의존하거나, 차세대 제품 일정 자체를 조정해야 할 수 있다. AI 반도체에서 연산 칩과 HBM은 분리해 볼 수 없는 구조다. 연산 성능이 높아도 메모리 공급이 따라주지 못하면 제품 경쟁력은 완성되지 않는다.
로직 반도체와 패키징, 서버 인프라에서 진전이 있더라도, HBM 같은 고난도 메모리에서는 양산 전환 능력이 별개의 과제로 남는다. 기술 공개와 샘플 확보만으로는 생태계가 완성되지 않는다. 결국 시장이 묻는 것은 개발 속도가 아니라, 언제 안정적으로 대량 공급할 수 있느냐다. CXMT의 HBM3 지연은 중국 메모리 산업이 추격 단계에서 반드시 넘어야 할 첫 번째 양산 시험대가 되고 있다. HBM이 AI 반도체 경쟁의 핵심 부품으로 굳어진 이상, 공백이 길어질수록 중국 내 AI 칩 생태계의 독립성도 그만큼 늦춰질 가능성이 크다.
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