어플라이드 머티어리얼즈가 최첨단 로직 칩의 미세 구조 형성을 위한 차세대 반도체 장비 시스템 2종을 공개했다.
14일 어플라이드에 따르면 이번 신제품 장비들은 2나노미터(nm) 이하 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 공정의 복잡성을 해결하고 인공지능(AI) 인프라 구축에 필요한 고성능·저전력 반도체 양산을 지원하는 것이 핵심이다.
GAA 구조는 기존 방식보다 성능은 높지만 3차원(3D) 구조를 형성하기 위해 500개 이상의 정밀 공정이 필요하다. 이를 위해 어플라이드는 원자 수준에서 소재 증착을 제어하는 '프로듀서 프리시전 선택적 질화막 PECVD'와 '엔듀라 트릴리움 ALD' 시스템을 선보였다.
프로듀서 프리시전 시스템은 업계 최초의 선택적 바텀업 증착 기술을 적용했다. 트랜지스터 사이의 간섭인 기생 '커패시턴스'를 줄이기 위해 필요한 위치에만 질화막을 형성하며 저온 공정을 통해 하부 구조 손상 없이 칩 성능을 유지한다.
함께 공개 엔듀라 트릴리움 시스템은 나노시트를 감싸는 게이트 스택에 금속을 균일하게 증착하는 장비다. 초고진공 상태에서 옹스트롬 단위로 두께를 제어해 트랜지스터의 임계 전압을 정밀하게 튜닝할 수 있도록 돕는다.
이번 장비 시스템들은 글로벌 반도체 제조사들의 2나노 이하 GAA 공정에 채택되어 사용되고 있다.
프라부 라자 어플라이드 반도체 제품 그룹(SPG) 사장 "첨단 로직 노드에서 성능과 효율은 이제 소재 혁신에 의해 결정된다"며 "새로운 시스템을 통해 고객사가 AI 컴퓨팅 로드맵의 근간인 트랜지스터 기술 전환을 실현하도록 지원할 것"이라고 밝혔다.
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