TSMC 선단 공정, 스마트폰 SoC 클럭 ‘5GHz’ 눈앞 애플·퀄컴·미디어텍 속도전

스냅드래곤 8 엘리트 Gen 6 Pro·디멘시티 9600 Pro 5GHz 거론
화웨이 키린은 3GHz 벽 못 넘었다

스마트폰 AP가 5GHz 클럭에 근접하는 구간에 들어갔다는 얘기가 나왔다. 애플, 퀄컴, 미디어텍이 TSMC 선단 공정에서 성능 코어 클럭을 끌어올리면서 ‘5.00GHz’가 현실적인 목표로 잡혔다. 반면 화웨이는 TSMC를 쓰지 못하는 상황에서 키린(Kirin) 계열이 3.00GHz를 넘지 못했고, 격차가 더 벌어졌다는 지적이 나온다.

퀄컴은 이미 스냅드래곤 8 엘리트 Gen 5에서 기본 4.61GHz를 찍었고, 차기 스냅드래곤 8 엘리트 Gen 6 Pro가 5.00GHz에 도달할 수 있다. 미디어텍도 디멘시티 9600 Pro가 비슷하며, 애플 A19 Pro의 성능 코어가 4.26GHz까지 올라갔다. 

참고로 클럭 상승은 단일 스레드뿐 아니라 멀티 스레드 성능도 같이 끌어올리는 변수다.

다만 화웨이는 한 발 뒤로 밀렸다. 키린 계열은 3GHz 벽을 넘지 못했고, 실패의 배경으로는 파운드리 접근에서 불리해서다. 화웨이는 미국 제재로 TSMC와 거래가 막혔고, SMIC 7nm 공정을 사용한다. SMIC는 EUV 장비 접근이 제한돼 DUV 기반으로 생산을 이어가면서 근본적인 한계 탓에 클럭과 성능 확장에 제약이 걸린 상황. 키린 9030도 3GHz를 넘지 못했다.

다만 5GHz가 끝이 아니다. 클럭이 올라가면 발열과 스로틀링 문제가 더 커진다. 스마트폰은 전력·온도·배터리 제약이 강한 폼팩터라, 베이퍼 챔버 확대, 소형 액티브 팬, HPB(Heat Path Block) 같은 냉각 설계가 같이 언급되는 이유도 여기 있다.