한미반도체가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산을 위한 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시한다고 9일 밝혔다. 오는 2029년 본격 양산 적용되는 하이브리드 본딩 수요에 발맞춰 선제적으로 대응하기 위한 전략이다.
앞서 2020년 한미반도체는 1세대 HBM 생산용 하이브리드 본더를 출시하며 핵심 기술과 검증 노하우를 축적한 바 있다. 2세대 장비는 1세대 개발 경험과 원천 기술을 집약해 나노미터 단위의 정밀도, 공정 안정성, 수율 등 완성도를 한층 높여 개발될 예정이다.
한미반도체에 따르면 국내 여러 반도체 장비 기업과 플라즈마, 클리닝, 증착 기술에서 협력 개발 중인 것으로 알려졌다.
하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu) 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프를 제거해 패키지 두께를 줄이면서도 방열 성능과 데이터 전송 속도를 높일 수 있어 20단 이상의 고적층 HBM에서 필요로 하고 있다.
한미반도체는 차세대 장비 생산을 위한 인프라 구축도 속도를 내고 있다. 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 총 1000억원을 투자해 연면적 1만4595㎡(약 4415평), 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 팩토리를 내년 상반기 완공을 목표로 건설 중이다.
이에 따라 하이브리드 본딩의 본격적인 양산 도입 시점은 2029~2030년으로 점쳐진다.
올 하반기에는 HBM 다이 면적을 넓힌 '와이드 TC 본더' 출시할 예정이다. 와이드 TC 본더는 실리콘관통전극(TSV) 수와 입출력 인터페이스( I/O) 수를 안정적으로 늘릴 수 있어 이전 기술 대비 메모리 용량과 대역폭을 확장할 수 있다.
한미반도체 관계자는 "HBM용 TC 본더 1위 노하우를 HBM용 하이브리드 본더 기술에 적용했다"면서 "고객사가 차세대 HBM 양산에 돌입하는 시점에 완성도 높은 장비를 적기에 공급하겠다"고 밝혔다.
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