[엠투데이 이세민 기자] 삼성전자가 미국 OFC 2026 행사에서 실리콘 포토닉스 개발 로드맵을 공개하고 2028년까지 AI 칩과 광소자 완전 통합을 목표로 제시하며 차세대 반도체 경쟁력 강화에 나섰다.
30일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이달 중순 미국에서 열린 OFC 2026에서 실리콘 포토닉스 기술 개발 전략을 공개했다.
해당 기술은 전기 신호 대신 빛을 활용해 데이터 전송 속도와 효율을 획기적으로 높이는 차세대 반도체 기술이다.
삼성전자는 2027년까지 PIC(광집적회로)와 EIC(전자집적회로)를 결합하는 광전자 통합 기술과 플랫폼을 확보하여 2028년에는 실리콘 광소자와 AI 칩을 완전히 통합한 솔루션을 구현하고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 동시에 개선하겠다는 전략이다.
이어 2028년에는 실리콘 포토닉스 기반 스위치 솔루션을 선보이고, 2029년에는 광학 I/O가 적용된 AI XPU 시스템까지 확장할 계획이다.
이는 AI 데이터센터에서 요구되는 초고속·저전력 인터커넥트 기술 수요에 대응하기 위한 포석으로 해석된다.
업계에서는 AI 연산량 증가로 기존 전기 기반 인터커넥트의 한계가 뚜렷해지는 가운데, 실리콘 포토닉스가 핵심 대안으로 부상하고 있다고 보고 있다.
특히 글로벌 빅테크 기업들이 관련 기술 확보에 나서면서 경쟁이 더욱 치열해지고 있다.
향후 기술 상용화 여부에 따라 AI 반도체 시장의 경쟁 구도에도 적지 않은 변화가 예상된다.
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