[엠투데이 이세민 기자] 삼성전자가 중국 시안 반도체 공장에서 236단 적층 기반 V8 3D 낸드 플래시 양산에 성공하며 공정 경쟁력을 강화한 가운데, 차세대 286단 V9 낸드 양산까지 추진하며 AI 시대 고성능 메모리 수요 대응에 나섰다.
30일 업계에 따르면 삼성전자는 중국 시안 낸드 플래시 생산공장에서 236단 적층 구조의 8세대 V-낸드(V8) 양산을 최근 시작했다.
이는 기존 128단(V6) 공정을 대체하는 업그레이드로, 생산 효율과 저장 성능을 동시에 끌어올린 것이 특징이다.
시안 공장은 삼성전자의 해외 핵심 메모리 생산 거점으로, 이번 공정 전환은 2024년부터 단계적으로 진행됐다.
업계에서는 고단 적층 기술 확보가 데이터센터와 인공지능(AI) 시장 확대에 대응하기 위한 전략적 투자로 보고 있다.
특히 고용량·고성능 스토리지 수요가 급증하면서 낸드 기술 경쟁은 더욱 치열해지는 양상이다.
삼성전자는 이번 V8 낸드 양산을 발판으로 차세대 제품 개발에도 속도를 내고 있다. 회사는 시안 X2 공장을 중심으로 286단 적층의 V9 낸드 생산라인 구축을 추진 중이며, 연내 양산 전환을 목표로 하고 있다.
글로벌 메모리 시장에서는 적층 수 경쟁이 핵심 기술력으로 평가된다. 주요 기업들이 200단 이상 제품을 잇따라 내놓는 가운데, 삼성전자의 이번 양산은 기술 격차 유지와 시장 지배력 강화를 위한 중요한 성과다.
삼성전자가 시안 공장에서 고단 낸드 양산에 성공하며 글로벌 메모리 경쟁에서 주도권을 이어가고 있는 가운데, 향후 V9 낸드까지 이어지는 기술 로드맵이 AI 시대 저장장치 시장 판도를 좌우할 핵심 변수로 떠오르고 있다.
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