엔비디아와의 협력을 축으로 삼성전자가 차세대 HBM4E를 공개하고, 메모리부터 파운드리·패키징까지 아우르는 ‘메모리 토털 솔루션’을 앞세워 AI 인프라 시장 주도권 확보에 나섰다.
삼성전자는 지난 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다고 17일 밝혔다.
행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나서 차세대 AI 시스템의 중요성과 이를 뒷받침하는 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 제시했다.
이번 전시는 HBM을 중심으로 한 메모리 기술력뿐 아니라 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM) 경쟁력을 강조하는 데 초점이 맞춰졌다.
삼성전자는 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 차세대 HBM4E까지 이어지는 기술 진화를 전면에 내세웠다. 1c D램 공정 기반의 메모리 기술과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결합해 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, 이를 통해 메모리와 로직을 최적화한 통합 구조를 구현하고 있다는 설명이다.
HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 제품으로, AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 대규모 데이터 처리 성능을 끌어올릴 수 있는 핵심 메모리로 꼽힌다. 삼성전자는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 결합한 내부 협업 구조를 통해 성능과 효율을 동시에 확보했다는 점을 강조했다.
패키징 기술 경쟁력도 함께 제시됐다. 기존 TCB(열압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 구리 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM 구현에 필요한 핵심 기술을 선보였다. 이는 발열을 낮추면서도 집적도를 높일 수 있어 고성능 AI 반도체 구현의 기반이 되는 기술이다.
삼성전자는 이번 전시에서 전 세계에서 유일하게 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’에 적용되는 메모리 토털 솔루션도 부각했다.
‘Nvidia Gallery’에서는 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 메모리부터 스토리지까지 통합된 공급 구조를 구현하고 있음을 보여줬다.
삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했으며, PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 활용되는 제품이다. 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연하며, GPU가 CPU 병목을 우회해 스토리지 I/O를 제어하는 구조를 기반으로 AI 처리 성능을 극대화할 수 있음을 강조했다.
이와 함께 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에는 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. CMX는 AI 추론 과정에서 생성되는 KV Cache 데이터를 GPU 외부 스토리지로 확장해 활용하는 기술로, 메모리 확장성과 효율성을 높이는 역할을 한다.
삼성전자는 전시 공간을 AI Factories(AI Data Center), Local AI(On-device AI), Physical AI 등 세 개의 존으로 구성하고 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 선보였다. 단일 제품이 아닌 AI 인프라 전반을 아우르는 포트폴리오를 통해 기술 경쟁력을 강조한 것이다.
삼성전자는 이번 전시를 통해 HBM을 중심으로 한 메모리 경쟁력과 함께 파운드리·패키징까지 결합한 통합 반도체 역량을 기반으로 AI 인프라 시장에서 영향력을 확대해 나간다는 계획이다.
Copyright ⓒ 경기일보 무단 전재 및 재배포 금지
본 콘텐츠는 뉴스픽 파트너스에서 공유된 콘텐츠입니다.
