삼성전자, 엔비디아와 협력 확대...'그록 3 LPU' 생산, 3분기 출하

젠슨 황 "그록 3 제조해 준 삼성에 감사"
삼성, 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징...IDM 역량

[포인트경제]

'GTC 2026' 삼성전자 부스 / 삼성전자 제공 (포인트경제)

삼성전자가 엔비디아와의 협력을 메모리와 파운드리 전반으로 확대하며 인공지능(AI) 반도체 생태계에서 존재감을 높이고 있다. 고대역폭메모리(HBM) 공급에 이어 차세대 AI(인공지능) 추론 칩 ‘그록(Groq) 3 LPU’의 위탁 생산까지 맡게 되면서 양사 협력이 더 공고해졌다는 평가다.

삼성전자는 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 GTC 2026에서 엔비디아의 차세대 차세대 HBM4E 기술력과 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’을 구현하는 메모리 토털 솔루션 역량을 선보였다고 17일 밝혔다.

행사 기조연설에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 “우리를 위해 '그록 3' LPU(언어처리장치) 칩을 제조해 준 삼성에 감사하다”며, 해당 칩이 올해 3분기부터 출하될 것이라고 공식화했다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 기조연설을 하고 있다 / 사진=AP연합뉴스 (포인트경제)

16일부터 19일까지(현지시간) 진행되는 이번 행사에서 삼성전자는 전시 부스를 통해 차세대 메모리인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 공개했으며, 메모리와 로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 강조했다.

삼성전자 HBM4E는 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 구현한 압도적 성능과 기존 TCB 방식보다 열 저항을 20% 이상 개선한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개, 16단 이상 고적층 HBM 시장의 주도권을 예고했다. 메모리 설계부터 파운드리 4나노 베이스 다이 제조, 첨단 패키징까지 전 과정을 아우르는 토털 솔루션으로 개발 효율을 극대화했다.

엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. 좌측부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장 / 삼성전자 제공 (포인트경제)

특히 삼성전자는 엔비디아의 베라 루빈 플랫폼에 필요한 주요 메모리와 스토리지 제품을 공급할 수 있는 역량을 부각했다. 업계에서는 AI 데이터센터 확산과 함께 HBM을 비롯한 고성능 메모리 수요가 빠르게 늘어나는 상황에서 삼성전자가 메모리와 파운드리 양 측면에서 협력 범위를 넓히고 있다는 점에 주목하고 있다.

그록3 LPU는 엔비디아의 차세대 GPU ‘루빈(Rubin)’과 함께 AI 추론 성능을 높이기 위해 설계된 칩이다. 대규모 학습에 강점을 가진 GPU와 달리 추론 작업에 특화된 프로세서로, 빠른 응답 속도와 높은 데이터 처리량을 강점으로 한다. 삼성전자가 해당 칩의 생산을 담당하면서 파운드리 사업에서도 엔비디아와의 협력 관계를 확인했다는 점에서 의미가 있다는 분석이 나온다.

삼성전자 PM1763(상단), SOCAMM2 제품 / 삼성전자 제공 (포인트경제)

삼성전자는 루빈 GPU용 HBM4와 함께 베라 CPU용 SOCAMM2 메모리 모듈, 서버용 SSD 등으로 구성된 메모리·스토리지 라인업을 함께 전시하며 AI 데이터센터용 토털 솔루션을 소개했다.

AI 산업이 대규모 언어모델 학습 중심에서 실제 서비스 단계의 추론 중심으로 확대되는 가운데, 엔비디아가 추론용 칩을 새롭게 도입하고 삼성전자가 생산을 맡으면서 양사의 협력은 AI 인프라 전반으로 확장되는 흐름을 보이고 있다.