삼성전자가 엔비디아 GTC를 무대로 차세대 메모리 경쟁의 주도권 확보에 본격적으로 나섰다. 단순한 제품 전시를 넘어, AI 인프라 전반을 아우르는 '메모리 토털 솔루션' 전략을 전면에 내세우며 글로벌 반도체 시장에서의 존재감을 다시 끌어올리는 모습이다.
이번 행사의 핵심은 HBM4E를 중심으로 한 차세대 HBM 경쟁력 과시다. 삼성전자는 1c D램 공정과 4나노 파운드리 기반 베이스 다이 설계를 결합해 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 공개했다. 특히 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 목표로 하는 성능 지표는 AI 데이터센터 시대에 필요한 초고속 메모리 기준을 제시한다는 점에서 의미가 크다.
여기에 패키징 기술까지 포함한 '종합 반도체 기업(IDM)' 전략이 핵심 차별화 포인트로 부각된다. 삼성전자는 기존 열압착 방식(TCB)을 넘어, 열 저항을 대폭 낮추고 고적층 구조 구현에 유리한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 제시하며 차세대 HBM 경쟁의 방향성을 선점하려는 의도를 드러냈다. 이는 단순 메모리 공급을 넘어 설계·공정·패키징까지 통합한 수직계열화 경쟁이 본격화됐음을 의미한다.
이번 전시에서 더욱 주목되는 부분은 엔비디아와의 협력 구조다. 삼성전자는 차세대 AI 플랫폼인 'Vera Rubin'에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 유일한 업체라는 점을 강조했다. HBM4를 비롯해 서버용 LPDDR 기반 모듈, 차세대 SSD까지 하나의 플랫폼에 통합 공급하는 구조는, AI 시대 메모리 기업의 역할이 단순 부품 공급자를 넘어 '시스템 파트너'로 확장되고 있음을 보여준다.
특히 서버용 SSD와 메모리 간 결합 구조는 AI 워크로드 성능을 좌우하는 핵심 요소로 떠오르고 있다. 삼성전자는 PCIe Gen6 기반 SSD를 통해 GPU 중심 구조에서 발생하는 병목을 최소화하고, 데이터 접근 속도를 극대화하는 기술을 시연하며 실제 성능 경쟁력까지 입증했다. 이는 AI 인프라 경쟁이 '연산'에서 '데이터 흐름' 중심으로 이동하고 있다는 점을 반영한다.
또한 추론 단계에서 필요한 메모리 확장 기술 대응도 눈에 띈다. AI 모델이 생성하는 대규모 데이터 처리를 위해 스토리지를 메모리처럼 활용하는 구조가 확대되는 가운데, 삼성전자는 이에 최적화된 SSD 솔루션을 통해 플랫폼 전반의 효율을 끌어올리는 전략을 구체화하고 있다. 결과적으로 메모리와 스토리지를 하나의 아키텍처로 묶는 '데이터 인프라 통합 전략'이 본격화되는 양상이다.
전시 구성 역시 이러한 전략을 반영한다. AI 데이터센터, 온디바이스 AI, 물리 AI 등으로 구분된 공간에서 GDDR7, LPDDR6, 고성능 SSD 등 다양한 제품군을 동시에 제시하며, 삼성전자가 커버하는 영역이 AI 생태계 전반으로 확대되고 있음을 보여줬다.
업계에서는 이번 행보를 두고 "삼성전자가 다시 HBM 경쟁의 주도권을 되찾기 위한 신호탄"이라는 평가가 나온다. 그동안 HBM 시장에서 경쟁사 대비 주도권이 약화됐다는 지적이 있었지만, 차세대 제품과 패키징 기술, 그리고 엔비디아와의 협력 강화를 통해 반전의 기반을 마련하고 있다는 분석이다.
결국 이번 GTC는 삼성전자 전략의 방향성을 명확히 보여준 자리다. 메모리 단품 경쟁을 넘어, AI 시스템 전체를 설계하는 '플랫폼형 반도체 기업'으로의 전환이다. 향후 Vera Rubin 플랫폼 상용화와 함께 실제 공급 성과로 이어질 경우, 삼성전자의 AI 반도체 경쟁 구도 역시 새로운 국면을 맞을 가능성이 크다.
[폴리뉴스 정철우 기자]
Copyright ⓒ 폴리뉴스 무단 전재 및 재배포 금지
본 콘텐츠는 뉴스픽 파트너스에서 공유된 콘텐츠입니다.
