| 서울=한스경제 고예인 기자 | 삼성전자가 글로벌 인공지능 AI 산업의 핵심 행사인 엔비디아 GTC 2026에서 차세대 메모리 기술을 공개하며 AI 인프라 경쟁력 강화에 나섰다.
삼성전자는 3월 16일부터 19일까지 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 엔비디아 차세대 플랫폼 ‘베라 루빈’을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 선보였다고 17일 밝혔다.
이번 전시에서 삼성전자는 ‘HBM4 Hero Wall’을 중심으로 HBM4부터 메모리 로직 설계 파운드리 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업 IDM 역량을 강조했다.
또 ‘Nvidia Gallery’를 통해 엔비디아와의 협력을 기반으로 AI 플랫폼을 함께 구축하는 전략적 파트너십도 소개했다.
전시 공간은 AI 데이터센터를 의미하는 ‘AI Factories’ 온디바이스 AI를 의미하는 ‘Local AI’ 로봇과 자율 시스템을 포함하는 ‘Physical AI’ 등 세 개의 영역으로 구성됐다.
이 공간에서는 GDDR7 LPDDR6 PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 전시하며 AI 시대를 겨냥한 메모리 포트폴리오를 공개했다.
행사 둘째 날에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 기술 세션 발표에 나선다. 그는 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 소개할 예정이다.
업계에서는 이번 발표를 통해 양사의 협력이 단순 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여주는 자리라는 평가가 나온다.
▲ 1c D램 기반 HBM4E 최초 공개
삼성전자는 이번 행사에서 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다.
삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c D램 공정 기술과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 추진하고 있다.
HBM4E는 메모리 기술과 파운드리 로직 설계 첨단 패키징 기술을 결합한 제품이다. 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 목표로 개발되고 있다.
삼성전자는 영상 전시를 통해 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20퍼센트 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 패키징 기술도 소개했다.
HCB는 구리 기반 접합 기술로 칩을 직접 연결해 발열을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리한 차세대 패키징 방식이다.
삼성전자는 전시장에 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼도 함께 전시해 차세대 AI 반도체 메모리 라인업을 공개했다.
▲ 베라 루빈 플랫폼 메모리 전반 공급
삼성전자는 이번 전시에서 엔비디아 베라 루빈 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 역량을 강조했다.
Nvidia Gallery에서는 루빈 GPU용 HBM4 베라 CPU용 SOCAMM2 서버용 SSD PM1763 등을 플랫폼과 함께 전시했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 삼성전자가 업계 최초로 양산을 시작한 제품이다.
또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼 메인 스토리지로 부스에서 실제 서버 구동 시연을 통해 성능을 소개했다.
삼성전자는 AI 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 CMX 플랫폼에도 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
CMX는 AI 추론 과정에서 생성되는 데이터를 GPU 메모리 외부 스토리지로 확장해 활용하는 메모리 확장 기술이다.
삼성전자는 고성능 메모리 솔루션을 통해 AI 데이터센터 혁신을 지원하고 글로벌 AI 인프라 패러다임 변화에 대응하겠다는 전략이다.
업계 관계자는 “AI 성능 경쟁이 GPU뿐 아니라 메모리와 스토리지까지 확대되고 있다”며 “종합 반도체 역량을 갖춘 기업의 역할이 더욱 중요해질 것”이라고 말했다.
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