[엠투데이 이상원기자] 삼성전자가 차세대 HBM4의 엔비디아 납품에 맞춰 내달부터 화성캠퍼스의 낸드플래시 생산라인 일부에서 최신 공정(1c)을 적용한 D램 생산을 시작한다.
업계에 따르면 삼성전자는 3월부터 화성캠퍼스 12라인에서 2D 낸드 플래시 생산을 중단하고 고급 메모리인 1c DRAM 생산을 개시한다. 이 라인에서 생산되는 1c DRAM은 약 8만-10만 개로, 전량 엔비디아 베라 루빈에 들어가는 HBM4에 공급될 예정이다.
삼성은 2002년 1Gb 낸드 양산 이후 2D 낸드를 주력으로 생산해 오다 2013년부터 3D V낸드로 전환하면서 2D 낸드 수요는 급감했다. 이번 화성캠퍼스 12라인에서의 생산 중단으로 2D 낸드는 공식적으로 막을 내리게 된다.
화성캠퍼스의 1c D램 생산 전환은 고급 D램 공급난을 해소하기 위한 것으로, 12라인에서는 금속 인터커넥트와 최종 프론트엔드 공정을 처리하게 된다.
삼성은 1c D램 생산 확대를 위해 화성과 평택캠퍼스에 대한 대대적 투자를 진행 중에 있으며, 특히 기존 D램, 낸드, 파운드리 시설로 설계됐던 평택 P4 팹도 최근 D램 전용으로 전환했다.
현재 삼성은 평택 1공장(P1), 3공장(P3), 화성캠퍼스에서 D램과 낸드플래시를 생산하고 있으며, 이 가운데 평택 P1과 화성캠퍼스는 D램과 낸드플래시를 각각 생산하는 하이브리드 라인이다.
삼성은 화성캠퍼스 생산 라인이 구형 DRAM 노드에서 1c 노드로 업그레이드가 완료되면 삼성 전체 DRAM 생산 능력에서 1c DRAM이 차지하는 비중이 대폭 증가할 것으로 예상된다.
삼성은 국내에서 줄어든 낸드플래시 생산 물량은 중국 시안 공장에서 생산량을 늘려 대응한다는 방침이다.
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