SK하이닉스, 용인 1기 팹에 21조6000억원 추가···총 31조원 투입

사진=연합뉴스 제공

SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산 거점으로 추진 중인 용인 반도체 클러스터 1기 팹 완공을 위해 21조원대 추가 투자를 확정했다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈 2~6기 건설에 21조6081억원을 투자하기로 결정했다고 공시했다. 투자 기간은 3월1일부터 2030년 12월 31일까지다.

앞서 회사는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설에 9조4000억원을 투자하기로 한 바 있다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 확대됐다.

용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성되는 일반산업단지다. 이 중 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개가 들어설 예정이다.

회사는 국내외 소재·부품·장비 기업 50여곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하고, 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다. 지난해 2월 1기 팹을 착공했으며, 2027년으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다.

1기 팹에서는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 활용할 수 있도록 준비한다는 방침이다.

또 기존 계획 대비 공장 규모를 1.5배로 확대하고, 극자외선(EUV) 노광장비 등 첨단 장비를 도입해 AI 메모리 수요 증가에 대응할 계획이다. 용인 클러스터를 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 육성하겠다는 전략이다.