총투자액 31조원…"반도체 수요 증대에 따른 생산 인프라 구축"
(서울=연합뉴스) 한지은 기자 = SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산 거점으로 중장기 투자 중인 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 완공을 위해 21조원대 추가 투자를 확정했다.
SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2∼6기 건설에 21조6천81억원을 투자하기로 결정했다고 공시했다.
투자 기간은 오는 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.
앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조4천억원을 투자하기로 결정한 바 있다.
이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 확대됐다.
SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다.
또한 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하기로 하는 등 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.
지난해 2월 1기 팹을 착공, 2027년 중으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다.
1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다.
SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.
애초 계획 대비 공장 규모를 1.5배 확대하고 극자외선(EUV) 노광장비를 비롯한 첨단 장비를 도입하는 등 AI 메모리 수요의 지속 증가에 대비할 방침이다.
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