[엠투데이 이세민 기자] 글로벌 메모리 업계가 HBM4 공급 경쟁으로 달아오른 가운데, 또 다른 전선인 차세대 모바일 D램 시장에서도 치열한 기술 경쟁이 펼쳐지고 있다.
SK 하이닉스와 삼성전자는 2월 15일부터 19일(현지시간)까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 ISSCC 2026에서 차세대 LPDDR6 메모리 기술을 공개했다.
이번 학회에서 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 모듈을 선보였다.
해당 제품은 핀당 14.4Gbps 속도를 구현해 JEDEC LPDDR6 표준 최고 속도에 근접한 성능을 달성했다.
6세대 공정은 10나노급 D램의 여섯 번째 세대에 해당하는 최신 기술로, 고속 동작 환경에서의 신호 안정성과 전력 효율을 동시에 끌어올린 것이 특징이다.
업계에서는 향후 오버클럭 기반의 LPDDR6X 변형 모델도 뒤따를 가능성이 큰 것으로 보고 있다.
삼성전자 역시 16Gb 용량의 LPDDR6 제품을 공개했다. 12나노 공정 기반으로 제작된 이 제품은 핀당 12.8Gbps 속도를 구현했다.
이는 삼성전자가 지난 1월 CES 2026에서 처음 공개했던 10.7Gbps 버전보다 크게 향상된 수치다.
공정 미세화 측면에서는 SK하이닉스보다 한 단계 큰 12나노 기술을 적용했지만, 전력 효율은 이전 세대인 LPDDR5X 대비 21% 개선된 것으로 알려졌다.
양사의 발표는 모바일과 온디바이스 AI 시장 확대에 대응하기 위한 포석으로 풀이된다. 스마트폰, AI PC, 차량용 인포테인먼트 시스템 등에서 요구되는 메모리 대역폭과 전력 효율이 급격히 높아지면서 LPDDR6는 차세대 표준으로 빠르게 자리 잡을 전망이다.
한편, LPDDR6가 공식적으로 시장에 출시되기 전임에도 불구하고, LPDDR6X는 이미 주요 고객사의 관심을 받고 있다. 업계에 따르면 퀄컴은 삼성으로부터 LPDDR6X 샘플을 조기 확보해 검토 중이다.
이 메모리는 2027년 하반기 상업 생산이 예상되며, 퀄컴이 2027년 출시할 예정인 서버 및 차량용 AI 가속기 ‘AI250’에 탑재하는 방안이 거론된다.
정식 표준화 및 양산 이전 단계에서 샘플이 선제적으로 제공되는 것은 이례적인 행보다. 이는 퀄컴의 차세대 반도체 개발 일정이 촉박한 데 따른 것으로 분석된다.
서버와 자동차용 AI 반도체는 모바일보다 훨씬 높은 메모리 대역폭과 안정성을 요구하기 때문에, 차세대 LPDDR6X 확보가 핵심 경쟁 요소로 떠오르고 있다.
메모리 업계가 엔비디아 HBM4 공급을 둘러싸고 경쟁하는 한편, 모바일 및 AI용 저전력 D램 시장에서도 주도권 확보를 위한 기술 전쟁이 본격화되고 있다.
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