[엠투데이 이상원기자] 첨단 반도체 칩 제조 핵심 장비인 EUV(극자외선) 노광장비를 공급하는 네덜란드 반도체 제조 ASML이 차세대 EUV 모델을 오는 2027년께 출시할 예정이라고 밝혔다.
대당 5천억 원에 달하는 최첨단 EUV는 연간 생산량이 40대 안팎에 불과, 주요 반도체 제조업체들이 선점을 위해 치열하게 경쟁을 벌이는 장비다.
크리스토프 후케 ASML 홀딩스 최고경영 책임자(CEO)는 최근 기자 회견에서 차세대 EUV 노광 장비에 의한 반도체 양산이 2027-2028년에 시작될 것으로 전망한다고 밝혔다. 반도체 양산 시점을 감안하면 차세대 EUV 노광장비 공급은 내년 중 이뤄질 것으로 예상된다.
차세대 EUV 노광장비는 해상도 지표인 NA(개구수. Numerical Aperture)가 고NA(high NA)로 불리는 0.55로, 현행 모델의 0.33보다 훨씬 높아졌다. NA0.33에서는 1회 노광으로 13nm(나노미터)를 해상도를 제공 할 수 있는 반면, NA0.55에서는 8nm의 해상도를 제공할 수 있다.
때문에 차세대 EUV 노광장비는 1.4nm 세대 최첨단 로직 반도체나 10nm 세대 이후의 DRAM 양산에 사용되며, 현재 인텔과 삼성전자, SK하이닉스가 차세대 EUV 노광장비 선점을 위해 적극적으로 움직이고 있는 것으로 알려졌다.
후케 CEO는 “차세대 EUV 모델 개발이 마무리단계에 들어섰다”며 “반도체 메이커들로부터 기술평가에서 좋은 결과를 얻을 수 있을 것으로 기대하고 있다”고 말했다.
립부 탄(Lip-Bu Tan) 인텔 CEO는 지난 달 22일 결산 설명회에서 기존 계획대로 높은 NA의 EUV 노광장비로 1.4nm 세대 제품을 2027년 후반 소량 생산, 2028년부터 대규모 양산을 시작할 예정이라고 밝혔다.
SK하이닉스도 지난해 9월 양산용 고NA의 EUV 노광장비 ‘TWINSCAN EXE:5200B’를 DRAM 공장에 도입한 데 이어 차세대 EUV 노광장비 도입도 적극 검토중인 것으로 알려졌다.
이 외에 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산)업체인 대만 TSMC가 차세대 장비로 1.4nm 세대 반도체 칩을 생산한다는 계획이며, 일본 라피더스도 홋카이도 첨단 반도체의 연구개발 거점에 차세대 EUV 노광장비 도입을 검토 중인 것으로 알려졌다.
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