삼성전자가 세계 최초로 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4 양산 출하에 성공하며, AI 반도체 수요 확대 속 초격차 기술력을 입증했다.
삼성전자는 HBM4 개발 초기 단계부터 국제 반도체 표준기구 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고, 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 동시에 확보했다고 12일 밝혔다.
이번에 양산된 HBM4는 초당 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다. 이는 업계 표준인 8Gbps보다 약 46%나 빠른 수치다. 전작인 HBM3E와 비교해도 약 1.2배 향상됐으며, 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 대규모 AI 모델의 고질적인 문제인 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대를 모은다.
기술적 진보도 눈에 띈다. 삼성전자는 메모리 적층 구조의 핵심인 ‘베이스 다이’에 성능과 전력 효율이 뛰어난 4나노 파운드리 공정을 적용했다. 이를 통해 에너지 효율은 전 세대 대비 약 40% 개선됐다. 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상시켰다.
삼성전자 고객사 입장에서는 전력 소모와 냉각 비용을 대폭 절감할 수 있는 셈이다.
용량 측면에서도 혁신을 이뤘다. 12단 적층 기술로 24GB~36GB 용량을 제공하며, 향후 고객사 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다.
삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲로직 ▲메모리 ▲Foundry ▲패키징을 모두 수행하는 ‘원스톱 솔루션’ 경쟁력 역시 적극 활용할 방침이다. 공정 최적화를 통해 생산 리드타임을 단축하고 공급 안정성을 높여, 내년 HBM 매출을 지난해 대비 3배 이상 끌어올린다는 목표다.
이와 함께 삼성전자는 올해 하반기, 성능 강화판인 ‘HBM4E’ 샘플을 출하하고 2027년에는 고객 맞춤형 ‘Custom HBM’ 시장에 본격 진출할 예정이다.
오는 2028년부터는 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용해, 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들의 폭발적인 수요 대응에 나설 전망이다.
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