Infineon’s CoolSiC MOSFETs are adopted in Toyota’s new bZ4X for the onboard charger and DC/DC converter. The SiC devices reduce conduction and switching losses, enable high-voltage operation, and help extend driving range while shortening charging time.
인피니언 테크놀로지스는 자사 CoolSiC MOSFET이 토요타 신규 bZ4X 모델에 채택됐다고 발표했다. CoolSiC MOSFET은 온보드 차저와 DC/DC 컨버터에 적용되며, 실리콘 카바이드 소재 특성을 바탕으로 손실을 낮추고 열 환경과 고전압 구동 조건을 고려해 주행거리 확대와 충전 시간 단축에 기여한다.
인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장 피터 셰퍼는 “세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 인피니언의 CoolSiC 기술을 선택한 것을 매우 자랑스럽게 생각한다. 실리콘 카바이드는 전기차의 주행거리, 효율, 성능을 향상시켜, 미래 모빌리티에 매우 중요한 역할을 한다. 인피니언은 지속적인 혁신과 무결점(zero-defect) 품질에 대한 헌신과 노력을 바탕으로 전동화 분야에서 증가하는 전력 반도체 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 입지를 갖추고 있다.”고 말했다.
CoolSiC MOSFET은 트렌치 게이트 구조를 적용해 온저항과 칩 크기를 줄이고, 전도 손실과 스위칭 손실을 함께 낮춰 자동차 전력 시스템 효율을 높인다. 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 하며, 전기 구동계 구동 회로 구성을 단순화하고 온보드 차저와 DC/DC 컨버터의 고집적·고신뢰 설계를 뒷받침한다.
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