삼성전자, '전력·열 전문가' 전진배치…맞춤형 HBM 속도전[only 이데일리]

[이데일리 박원주 기자] 삼성전자가 차세대 HBM 연구개발(R&D) 전선에 ‘전력·열 전문가’ 장래혁 부사장을 선임했다. 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 개발에 속도를 내겠다는 의지로 풀이된다.

장래혁 삼성전자 DS부문 미주 반도체연구소(DSRA) 전력 및 열 랩(Lab) 부사장.(사진=소셜네트워크서비스(SNS) 링크드인 캡처)

5일 업계에 따르면 삼성전자(005930)는 최근 DS부문 미주 반도체연구소(DSRA) 내 전력·열 랩(Lab) 조직의 수장에 장래혁 부사장을 선임했다. 전력·열 랩 조직은 인공지능(AI), 그래픽처리장치(GPU) 플랫폼에 적용되는 차세대 HBM 시스템을 위한 전력·열 솔루션을 담당하는 것으로 알려졌다. 칩을 설계하는 단계부터 실제 적용되는 환경까지 종합적으로 고려해 HBM의 안정적인 작동을 도모하겠다는 것이다.

1967년생인 장 부사장은 저전력 컴퓨팅 시스템에서 인정 받는 인사다. 그는 전기전자 분야 최고 영예로 여겨지는 국제전기전자학회(IEEE)와 국제컴퓨터학회(ACM) 석학회원으로 각각 2012년, 2015년 선정됐다. 서울대 컴퓨터공학부 교수, 카이스트 전기전자공학부 교수를 지내며 전력과 에너지 효율 시스템에 대한 연구를 이어 왔다. 그는 전문성을 인정 받아 2021년 삼성SDI 부사장으로 발탁돼 중대형 원형시스템 선행 전담 태스크포스(TF)장을 맡았다. 이후 중대형개발실장으로서 중대형 배터리의 R&D를 총괄해 왔다.

그는 지난해 1월부터는 삼성전자 DS부문에서 GPU·AI 플랫폼용 HBM 시스템의 전력 및 열 병목 문제 해소를 위해 자문하는 역할을 해 왔다. 이 과정에서 시스템 전반을 아우르는 냉각 제어 기술 개발을 지휘한 것으로 전해졌다.

삼성전자가 장 부사장을 전진 배치해 전력·열 제어에 힘을 주는 것은 HBM 시장이 고객 맞춤형으로 변화하는 현실과 맞닿아 있다.

올해 공급이 시작되는 6세대 HBM4부터는 베이스다이를 기존 메모리 공정이 아닌 초미세 로직 공정으로 제작한다. 이에 따라 고객들은 베이스다이에 원하는 로직 기능을 추가할 수 있다. 이로 인해 베이스다이 역시 엄청난 열을 내는 ‘열원’이 된다. 적층 단수가 늘어나며 발열이 심해지던 HBM이 해결해야 하는 문제가 더 늘어난 것이다.

아울러 구글 텐서처리장치(TPU) 등 빅테크의 맞춤형 반도체(ASIC)에 대한 HBM 탑재가 확대되고 있는 것도 맞춤형 HBM 시장의 도래를 가속화하고 있다.