[엠투데이 이상원기자] 삼성전자가 차세대 DDR5 메모리 샘플링을 시작했다. 차세대 DDR5는 현재 양산되는 제품보다 약 30% 빠른 속도를 제공하는 것으로 알려졌다.
공급망 정보에 따르면 삼성전자는 최근 16기가비트(Gb) 용량의 7,200Mbps급 DDR5 D램 샘플을 주요 고객사에 보내 샘플링을 시작한 것으로 알려졌다. 차세대 DDR5는 현행 양산 제품 최대 속도인 5,600Mbps 대비 약 30% 끌어올린 7,200Mbps급이다.
이 제품은 SK하이닉스와 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 경쟁사에 앞선 것으로, 한 발 앞선 차세대 D램을 앞세워 보다 빠른 메모리 처리량을 요구되는 고객사를 공략, 글로벌 D램 시장 1위 입지를 굳힌다는 전략이다.
SK하이닉스는 지난해 32GB 다이 6,400Mbps급 DDR5를 개발, 양산 중이며, 차세대 7,200Mbps급 DDR5도 개발을 완료, 샘플 테스트를 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국 CXMT도 지난해 11월 23일 중국국제반도체 박람회(IC China)에서 24GB의 다이밀도에 최대 속도 8,000 Mbps의 DDR5를 공개했으나 아직 양산까지는 시간이 걸릴 것으로 예상된다.
이 제품은 AI, 서버, PC 제조사의 플랫폼 검증 단계와 맞물려 샘플이 제공되며, 전력 효율과 데이터 처리 속도가 높아, AI 추론이나 대규모 데이터 분석 등에서 성능 병목을 줄일 수 있을 것으로 기대된다.
인텔은 차세대 프로세서 ‘팬서 레이크(Panther Lake)’와 ‘애로우 레이크(Arrow Lake) 리프레시’에서 초당 7200MT급 DDR5 D램 지원을 계획하고 있어 삼성으로부터 7200Mbps급 DDR5 D램을 공급받을 가능성이 높아 보인다.
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