경상국립대학교 전기공학과 학부생, 나노신소재 Te물질 기반 차세대 전자소자 동작원리 규명

▲ 경상국립대학교(GNU) IT공과대학 전기공학과 김요한·임규리 학생과 전대영 교수

[파이낸셜경제=김영란 기자] 경상국립대학교 IT공과대학 전기공학과 4학년 김요한·임규리 학생이 나노신소재 텔루륨(Te) 물질 기반 다이오드 전자소자 연구로 전기전자 소자 분야 권위지 《IEEE 트랜잭션스 온 일렉트론 디바이시즈(IEEE Transactions on Electron Devices)》(IF: 3.2)에 논문을 게재했다.

IEEE 트랜잭션스 온 일렉트론 디바이시즈은 전기전자 소자의 측정분석·모델링·시뮬레이션 등을 다루는 세계적 학술지다.

이번 연구는 한국재료연구원 김용훈 박사팀이 제작한 텔레륨(Te)/실리콘(Si) 헤테로접합 다이오드의 극한 온도 환경 전기적 특성을 측정분석·모델링해 동작 메커니즘을 최초 규명한 것으로, 향후 차세대 광전자 소자·지능형 센서 등 응용 시스템 설계에 기여할 전망이다.

논문의 공동 주저자인 김요한, 임규리 학생은 나노소자 전기적 특성분석 연구실의 학부 연구생으로 연구활동을 지속해 왔으며, 이번에 연구팀과 함께 ‘텔루륨/실리콘 이종접합 기반 p-n 다이오드에서 전하 수송에 대한 심층적인 전기적 특성 분석(In-Depth Electrical Characterization of Carrier Transport in Tellurium/Silicon Heterojunction-Based p-n Diode)’이라는 제목으로 논문을 게재했다.

이번 논문은 관련 학술지의 온라인판(12월 10일자)에 게재됐다(DOI: 10.1109/TED.2025.3626337). 이 연구는 한국재료연구원과 협력 연구의 결과물이며 경상국립대학교 교내 연구비의 지원을 받아 수행됐다.