[엠투데이 최태인 기자] 일본의 대표적 반도체 장비 기업 '도쿄일렉트론(Tokyo Electron)'이 TSMC 등 주요 파트너사와의 협력을 강화하며, 1나노미터(1nm)급 차세대 반도체 기술 개발을 위한 대규모 연구개발(R&D) 센터를 신설했다.
지난 16일(현지시간) 니케이(Nikkei)의 보도에 따르면, 도쿄일렉트론은 일본 구마모토현 산업단지 내에 위치한 새 R&D 시설의 착공을 마치고, 2026년 봄 정식 가동을 목표로 연구인력 및 장비 투입을 시작했다.
이 시설은 TSMC 일본 현지 공장이 자리한 지역에 건설되며, 도쿄일렉트론의 현지 개발 역량을 기존 대비 4배 이상 확대할 예정이다.
도쿄일렉트론은 EUV(극자외선) 리소그래피 장비용 코터·디벨로퍼(coater-developer) 분야에서 전 세계 시장 점유율 100%를 차지하고 있는 핵심 기업이다.
이번 구마모토 신센터는 특히 '하이NA(High Numerical Aperture) EUV' 기술 개발을 위한 전용 연구 거점으로, 1nm 이하 초미세 공정 실현의 핵심 인프라로 자리매김할 전망이다.
니칸코교신문(Nikkan Kogyo Shimbun)에 따르면, 도쿄일렉트론은 이번 신시설을 통해 차세대 포토레지스트 처리, 세정 공정, 정밀 노광 장비 대응 기술을 중점적으로 강화할 계획이다.
도쿄일렉트론의 구마모토 R&D 센터는 TSMC가 동일 지역에 설립 중인 TSMC 재팬 파운드리 및 R&D 클러스터와의 공동 생태계 구축을 목표로 한다.
TSMC의 차세대 1.6nm·1.4nm 공정 및 향후 1nm급 노드 개발에 필수적인 EUV 공정 장비 개발이 일본 내에서 가속화될 전망이다.
업계 관계자는 "구마모토는 일본 반도체 부활의 중심지로 떠오르고 있으며, 도쿄일렉트론의 신시설은 TSMC와 일본 소재·장비 업체 간 'JAPAN-TSMC 얼라이언스'를 더욱 강화하는 상징적인 프로젝트"라고 평가했다.
한편, 니케이에 따르면 도쿄일렉트론은 올해 3월 결산 기준으로 순이익이 당초 성장 전망에서 하향 조정될 것이라고 밝혔다. 이는 중국의 반도체 장비 투자 둔화와 일부 고객의 설비투자 일정 조정이 주요 원인으로 지목됐다.
그러나 회사는 중장기적으로 AI 반도체 및 첨단 공정 장비 수요가 지속적으로 확대될 것으로 보고, 공격적인 R&D 투자를 이어간다.
도쿄일렉트론은 오는 2029년 3월까지 5년간 R&D에 1조5천억 엔(약 14조 1,400억 원)을 투입할 계획으로, 이는 이전 5년 대비 약 90% 증가한 규모다.
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