삼성전자, HBM 노 젓는다…평택 P4 공사 속도전 돌입

[이데일리 조민정 기자] 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 두고 반도체 기업들의 공급 경쟁이 치열한 가운데 삼성전자(005930)가 평택캠퍼스 증설에 속도를 내고 있다. HBM4의 재료가 되는 10나노급 6세대(1c) 공정 D램을 양산할 평택캠퍼스 4공장 완공을 앞당기면서 삼성 반도체 봄날이 가까워지고 있다는 관측이 나온다.

삼성전자 평택캠퍼스 P2라인 공사 현장.(사진=삼성전자)

29일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 4공장(P4) 페이즈4(Ph·생산공간) 마감공사의 종료 시점을 3개월 앞당겼다. 공사를 맡은 삼성물산과 삼성E&A, 삼성중공업이 지난 24일 공시를 통해 일제히 계약 종료일을 2027년 7월에서 같은 해 4월로 3개월 앞당긴다고 밝히면서다.

건설사들은 공사 금액 또한 △삼성물산 62% △삼성E&A 46% △삼성중공업 27%로 모두 대규모 증액했다. 공사를 재개한지 두 달 만에 완공 일정을 앞당기며 속도전에 돌입한 셈이다. 평택캠퍼스 4공장에서는 HBM4에 적용하는 1c D램을 양산할 예정으로, HBM4 생산능력(캐파)을 선제적으로 확보하기 위한 움직임으로 풀이된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 반도체 생산시설로 총 6개 공장으로 이뤄져 있다. 현재 1공장부터 4공장 일부까지 가동되고 있다. 4공장의 경우 총 4개의 Ph로 나뉘는데, Ph1은 낸드와 D램을 생산하는 하이브리드 체제로 운영하고 있다. Ph3은 최근 마감 공사를 마쳤고, Ph2와 Ph4만 공사를 남겨두고 있다.

삼성전자는 사업 부진 여파로 지난해 상반기부터 사실상 평택캠퍼스 공사를 중단한 상태였다. 그러다 올해 7월 건설사들과 마감 공사 계약을 맺으며 공사를 재개하기 시작했다. 회사는 당초 Ph2와 Ph4를 파운드리(반도체 위탁생산) 전용 라인으로 구축할 계획이었지만, 업황에 따라 Ph4를 D램 중심으로 전환해 먼저 공사에 착수했다. 최근에는 5공장의 착공 준비 작업도 돌입하며 내년 메모리 생산량 확대를 대비하는 움직임을 보이고 있다. 업계 관계자는 “우선 Ph4를 중심으로 공사를 진행하며 Ph2 공사 계획도 차차 구체화할 것으로 보인다”고 설명했다.