|데일리포스트=송협 대표기자| “세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점이며 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품입니다. SK하이닉스는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 성능의 메모리를 적시에 공급, 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장하겠습니다.” (SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장)
SK하이닉스가 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 HBM4 개발을 완료하고, 세계 최초로 양산 체제를 갖췄다. HBM4 개발 성공과 양산 체제 구축은 AI 메모리 기술 리더십을 다시 한번 입증한 성과를 강조하며 새로운 AI 시대를 견인할 것이라고 강조했다.
조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표”라며 “고객이 요구하는 성능, 전력 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 시장 경쟁력을 강화하겠다”고 말했다.
AI 수요와 데이터 처리량이 폭증하면서 고대역폭 메모리 수요가 급증하는 가운데, 데이터센터 전력 부담도 주요 과제로 떠올랐다. SK하이닉스는 대역폭과 전력 효율을 모두 개선한 HBM4가 이러한 고객 요구를 충족할 최적의 해법이 될 것으로 내다봤다.
이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 2,048개 입출력(I/O)을 적용해 이전 세대 대비 대역폭을 2배로 확대하고, 전력 효율은 40% 이상 개선했다. 고객 시스템 적용 시 AI 서비스 성능을 최대 69% 끌어올려 데이터 병목 현상을 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용 절감 효과도 기대된다.
여기에 HBM4는 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현, 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준치인 8Gbps를 크게 상회했다.
MR-MUF 공정은 반도체 칩을 적층한 뒤, 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간에 주입·경화하는 방식이다. 기존처럼 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식에 비해 효율성이 높고, 열 방출 효과도 우수하다는 평가를 받는다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 적층 과정에서 가해지는 압력을 줄이고, 휨(Warpage) 현상 제어 성능을 개선해 HBM 공급 생태계에서 안정적인 양산성을 확보하는 핵심 기술로 자리매김하고 있다.
Copyright ⓒ 데일리 포스트 무단 전재 및 재배포 금지
본 콘텐츠는 뉴스픽 파트너스에서 공유된 콘텐츠입니다.
