SK하이닉스, 차세대 양산용 노광장비 ‘High NA EUV’ 도입

▲ SK하이닉스 청주 캠퍼스. 사진=SK하이닉스

투데이코리아=김준혁 기자 | SK하이닉스가 고부가가치 메모리 시장 입지 강화를 위해 한층 더 발전한 노광 장비를 도입했다.
 
SK하이닉스가 이천 M16팹(Fab)에 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 업계 최초로 반입했다고 3일 밝혔다.
 
High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)는 차세대 노광 장비로, 기존 EUV 대비 더 큰 NA(렌즈가 빛을 모으는 정도)를 적용해 해상도 크게 향상시킨 것이 특징이다.

이에 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현을 통한 선폭 축소 및 집적도 향상이 가능하다.
 
해당 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이며 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도의 구현할 수 있다.
 
앞서 SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 처음으로 도입하고 지속 확대해 왔으나 미래 반도체 시장을 위한 극한 미세화 및 고집적화를 위한 장비 도입을 필요로 해왔었다.
 
이에 회사는 이번 신규 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고, 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 계획이다.
 
차선용 SK하이닉스 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.