SK하이닉스, 메모리 업계 최초 'High NA EUV' 반입…극한 미세화 기술 확보

SK하이닉스 CI. [뉴스락]

[뉴스락] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 노광장비 'High NA EUV'를 도입해 극한 미세화 기술 확보에 나섰다.

SK하이닉스는 이천 M16팹에 양산용 'High NA EUV' 장비를 반입하고 기념행사를 개최했다고 3일 밝혔다.

이날 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장과 차선용 SK하이닉스 CTO, 이병기 제조기술 담당 부사장 등이 참석했다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광장비다. 현존하는 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상의 핵심 역할을 담당한다.

반도체 제조업체들이 생산성과 제품 성능을 높이기 위해서는 미세공정 기술 고도화가 필수적이다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해왔다.

하지만 미래 반도체 시장에서 요구되는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV를 넘어서는 차세대 기술이 필요한 상황이었다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로 High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

회사는 이 장비 도입으로 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 방침이다. 고부가가치 메모리 시장에서의 입지 강화와 기술 리더십 공고화 효과도 기대하고 있다.

김병찬 ASML코리아 사장은 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당기도록 적극 지원하겠다"고 말했다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 "이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.