SK하이닉스, 메모리 업계 첫 양산용 'High NA EUV' 도입

기존 EUV 대비 정밀도 1.7배, 집적도 2.9배 향상
차세대 메모리 반도체 양산 경쟁력 확보 방침
"가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장 선도"

[포인트경제] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 'High NA EUV' 장비를 이천 M16 팹에 반입했다고 3일 밝혔다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 기념 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장, 이병기 부사장 등이 참석했다.

SK하이닉스 청주캠퍼스 정문 [사진=SK하이닉스](포인트경제)

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 장비 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 적용해 1.7배 더 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도를 구현한다. NA(Numerical Aperture, 개구수)는 렌즈가 빛을 모을 수 있는 정도를 나타내는 수치로, 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능하다.

SK하이닉스는 이번 장비 도입으로 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서 입지를 강화하고 기술 리더십을 공고히 한다는 계획이다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 그러나 미래 반도체 시장의 극한 미세화와 고집적화 요구에 대응하기 위해 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요했다.

차선용 부사장은 "이번 장비 도입으로 회사가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보했다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.

ASML코리아 김병찬 사장은 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 말했다.

SK하이닉스는 치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련했다고 밝혔다. 또한 파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 강화해 나가겠다고 덧붙였다.

이번 장비 도입은 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이기 위한 미세 공정 기술 고도화의 일환이다. 더 정밀한 회로 구현은 웨이퍼당 칩 생산량 증가와 전력 효율 및 성능 개선을 가능하게 한다.