[엠투데이 이상원기자] 글로벌 투자은행 골드만삭스가 최근 발표한 보고서에 따르면, 중국이 최근 첨단 반도체 생산 장비인 EUV 노광장비를 독자 개발했으나 이 장비는 65nm 공정의 반도체 칩만 생산할 수 있는 것으로 알려졌다.
이는 EUV 노광장비의 독점 공급업체인 ASML보다 약 20년 뒤처진 수준이다.
골드만삭스는 중국 반도체업체 SMIC가 이미 7nm 공정의 반도체 칩을 생산할 수 있지만 중국이 아직 첨단 공정의 EUV 노광장비를 장비를 생산할 능력이 없기 때문에 여전히 ASML의 구형 DUV 심자외선 노광장비를 사용하고 있을 가능성이 매우 높다고 밝혔다.
현재 ASML사는 2세대 EUV 극자외선 노광장비인 하이-NA EUV 노광장비를 개발, 인텔, TSMC, 삼성전자 등에 공급하고 있다.
무게 180톤, 2층버스 크기의 이 장비는 1.4nm 이하의 공정의 필수장비로, 대당 가격이 4억달러를 넘어서는 것으로 알려져 있다.
골드만삭스는 ASML 노광장비가 65nm에서 3nm 이하로 개발하는 데 20년이 걸렸고, R&D와 자본 지출에 400억 달러가 소요됐다면서 중국이 개발한 노광장비와는 여전히 큰 격차가 있다고 밝혔다.
골드만삭스는 중국의 현재 반도체 기술 수준이나 첨단 공정연구 개발에 대한 투자, 글로벌 산업 사슬의 복잡성, 위험성이 높은 지정학적 요소 등을 고려할 때, 중국 국내에서 생산한 노광장비가 단기간에 선진 수준을 따라잡는 것은 불가능하다고 지적했다.
중국 매체 보도에 따르면 화웨이는 중국과학원과 화주오 정밀기술 도움으로 자체 개발한 EUV 노광장비를 2025년 3분기부터 시험 생산에 들어갔다.
화웨이 EUV 노광장비는 레이저 유도 방전 플라즈마(LDP) 기술을 활용한 장비로, 화웨이는 이 시스템을 2025년 3분기에 시험 생산하고 2026년부터 대량 생산하는 것을 목표로 하고 있다.
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