AI폰, 변수는 ‘발열’···SK하이닉스, 고방열 모바일 D램으로 해법 제시

SK하이닉스의 고방열 모바일 D램. [사진=SK하이닉스]

[이뉴스투데이 김진영 기자] 스마트폰 발열이 차세대 모바일 경쟁의 핵심 변수로 떠오른 가운데 SK하이닉스가 소재 혁신으로 돌파구를 마련했다. 인공지능(AI) 기능 확산으로 고속 연산 수요가 급증하는 상황에서 방열 성능을 강화한 모바일 D램을 앞세워 글로벌 시장 주도권 확보에 속도를 내고 있다.

SK하이닉스가 업계 최초로 신소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 글로벌 고객사에 공급을 시작했다고 28일 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해소해 성능 개선과 소비전력 절감에 기여할 것으로 기대된다.

이번 제품에는 SK하이닉스가 자체 개발한 ‘에폭시 몰딩 컴파운드(High-K EMC)’ 소재가 적용됐다. EMC는 반도체를 수분·열·충격·전하 등 외부 환경으로부터 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 하는 반도체 후공정 핵심 재료다. SK하이닉스는 기존 실리카(Silica) 기반 EMC에 알루미나(Alumina)를 혼합한 High-K EMC를 도입해 열전도도를 기존 대비 3.5배 높였고, 열저항도 47% 개선했다.

최근 스마트폰은 AI 기능 확대로 기기 내 데이터 고속 처리 과정에서 발열이 급증하고 있다. 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 패키지 온 패키지(PoP) 방식은 공간 활용과 속도 향상에는 유리하지만, AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적돼 성능 저하를 일으키는 문제를 안고 있었다. SK하이닉스는 EMC 소재 혁신으로 이 같은 구조적 한계를 해결했다.

고방열 모바일 D램은 향상된 방열 성능을 통해 스마트폰의 데이터 처리 성능을 높이는 동시에 소비전력을 낮춰 배터리 지속 시간과 제품 수명 연장에도 기여한다. SK하이닉스는 이미 글로벌 고객사들로부터 긍정적인 평가를 받고 있다고 설명했다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 발열 문제를 근본적으로 개선했다는 점에서 의미가 크다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 확고히 하겠다”고 말했다.