열전도도 3.5배, 열 저항 47% 개선
발열 문제 해결 기여해 글로벌 고객사 높은 평가
[포인트경제] SK하이닉스가 업계 최초로 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품 공급을 시작했다. 28일 SK하이닉스에 따르면 이번 신소재 적용으로 열전도도가 기존 대비 3.5배 향상됐으며, 열 저항은 47% 개선됐다.
SK하이닉스가 업계 최초 High-K EMC 소재를 적용한 ‘고방열 모바일 D램’ 공급을 개시했다.
High-K EMC는 반도체 후공정 필수 재료인 EMC(Epoxy Molding Compound)에 열전도 계수가 높은 물질을 적용해 열전도 성능을 높인 신소재다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 동시에 열을 방출하는 역할을 한다.
SK하이닉스는 온디바이스 AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인임을 지적했다. 특히 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 방식을 적용하고 있다. 이 구조는 공간 활용과 데이터 처리 속도를 높이는 장점이 있으나, 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적돼 전체 스마트폰 성능 저하를 유발한다.
이 문제를 해결하기 위해 SK하이닉스는 D램 패키지를 감싸는 EMC 소재의 열전도 성능 향상에 집중했다. 기존 실리카(Silica) 소재에 알루미나(Alumina)를 혼합한 High-K EMC를 개발해 열전도도를 3.5배 높였으며, 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 줄였다.
SK하이닉스가 업계 최초 High-K EMC 소재를 적용한 ‘고방열 모바일 D램’ 공급을 개시했
향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감으로 이어져 배터리 지속시간과 제품 수명 연장에 기여한다. SK하이닉스는 이 제품이 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제 해결에 도움을 주며 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다고 밝혔다.
SK하이닉스 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 확고히 구축할 것”이라고 말했다.
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