[엠투데이 이상원기자] 엔비디아가 3nm 공정 기반으로 자체 HBM 메모리 베이스 다이(Base Die)를 개발한다. 주력 GPU에 들어가는 핵심 구성 요소인 HBM(고대역폭메모리)의 기술적, 생태적 단점을 보완하기 위한 조치로, 2027년 하반기부터 소규모 시험 생산에 들어갈 예정이다.
이에 따라 엔비디아의 HBM 공급망은 메모리 원 제조사 DRAM Die와 엔비디아가 자체 개발한 ’Base Die‘의 결합 모델로 전환될 예정이다.
즉, 고성능 컴퓨팅 스토리지 아키텍처의 수직적 통합이 가속화되는 것으로, 현재 엔비디아 HBM 공급을 거의 독점하고 있는 SK하이닉스에 타격을 줄 가능성이 높다.
대만 공상시보(Commercial Times)가 반도체 업계 공급망을 인용 보도한 바에 의하면 엔비디아는 최근 자체 HBM 베이스 다이 개발을 시작했다. 이는 3nm 공정노드를 기반으로 구축되며 2027년 하반기부터 소량 시험 생산한 뒤 TSMC에서 본격적인 양산이 시작할 예정이다.
엔비디아의 이같은 시도는 HBM 및 GPU 시스템 전체의 전반적인 성능 향상을 위한 것으로, GPU 기능의 일부를 기본 레이어에 통합하는 '맞춤형 HBM 베이스 다이'를 제작한다는 것이다.
엔비디아는 ’베이스 다이‘ 개발을 2026년 말까지 완료한 뒤 2027년 상반기에 TSMC의 12nm 공정에서 SK하이닉스가 공급하는 표준 HBM4e를 먼저 채택한 후, 2027년 하반기부터 2028년까지 맞춤형 HBM4e 설계로 전환해 TSMC 3nm 공정 노드에서 대량 생산한다는 계획이다.
매체는 SK하이닉스가 현재 엔비디아의 ’베이스 다이‘를 독점 설계함으로써 엔비디아 HBM 공급을 장악하고 있지만 이 공정이 도입되면 SK하이닉스에 상당한 타격이 있을 것으로 예상된다고 밝혔다.
SK하이닉스는 주로 자체 ’베이스 다이‘ 솔루션을 사용하지만, 10Gbps 이상의 속도를 달성하기 위해서는 TSMC와 같은 회사의 첨단 제조 공정에 의존해야 하기 때문이라는 것이다. 실제로 메모리 제조업체는 정교한 베이스 다이 및 ASIC 개발에 필요한 복잡한 설계 역량이 파운드리업체에 비해 부족한 것으로 알려져 있다.
특히, HBM4 시대에 접어들면서 전송 속도는 10Gbps를 넘어야 하고 베이스 다이는첨단 로직 공정 채택이 필수적이 되고 있다. 이 때문에 제조는 TSMC와 같은 웨이퍼 파운드리에 의존하게 될 전망이다.
업계에서는 엔비디아의 베이스 다이 자체 개발은 HBM 공급망에서의 협상력과 통제력을 더욱 강화시킬 것으로 예상하고 있다.
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