[엠투데이 이상원기자] 대만 TSMC가 저전력. 고전압 질화갈륨(GaN) 기반 반도체 생산을 2027년부터 중단할 예정이다. 중국업체들의 저가 공세로 수익성이 악화됐기 때문으로, 해당 반도체 최대 수요처인 중국 전기차업체 BYD가 영향을 받을 전망이다.
대만 디지타임스에 따르면 세계 최대의 GaN 웨이퍼 파운드리 업체인 TSMC가 3차 반도체 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 파운드리(반도체 위탁생산) 서비스를 2027년 말까지 종료키로 했다.
질화갈륨(GaN) 웨이퍼 생산을 담당하고 있는 대만 신주과학단지 내 팹5는 이달부터 첨단 패키징 라인으로 순차적으로 전환될 예정이다.
TSMC는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 생산 중단 결정은 시장 변화와 장기적인 웨이퍼 생산 전략을 고려한 것으로, 2025년 매출 목표에는 영향을 미치지 않을 것이라고 밝혔다.
저전력. 고전압 특성의 GaN 반도체는 전기차나 서버 등 고성능 전력 부품용으로 공급되는데 생산량이 제한적이고 단가 경쟁이 심해 수익성 확보가 쉽지 않다.
TSMC의 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 생산 중단 결정은 이 제품의 최대 수요처인 중국 대표 전기차 기업인 BYD에 큰 타격을 줄 전망이다.
최근 몇 년 동안 BYD 등 중국 자동차업체들이 TSMC부터 GaN 파운드리 주문을 대폭 늘렸고, 특히 전기차 선두 주자인 BYD의 주문이 급증하면서 TSMC의 3대 GaN 고객사로 자리매김했다. 질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 BYD의 가격 및 성능 경쟁력 확보의 주요 동력원의 하나로 알려져 있다.
TSMC를 대신해 중국 GaN 전문 파운드리업체인 이노사이언스(Innoscience)를 비롯한 다수의 중국 업체들이 정부 지원을 바탕으로 대규모 양산에 나서고 있지만 TSMC 수준의 양질의 질화갈륨(GaN) 웨이퍼를 공급받는데는 상당한 시간이 걸릴 전망이다.
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