인피니언, 300mm 웨이퍼 기반 GaN 생산 확대

인피니언 테크놀로지스가 300mm 웨이퍼 기반의 GaN(갈륨 나이트라이드) 생산 확대를 통해 전력 반도체 시장 내 입지를 강화한다. 고객 기반 확대와 함께 GaN 전력 솔루션의 선도적 공급자로 자리매김할 계획이며, 생산 공정은 인하우스 기반의 IDM 모델을 바탕으로 진행된다.

300mm 웨이퍼를 활용한 GaN 칩 생산은 기존 200mm 웨이퍼 대비 생산 효율이 약 2.3배 향상되며, 동일 면적 내에서 더 많은 칩을 제조할 수 있어 비용 효율성과 생산 유연성을 모두 갖춘 구조다. 웨이퍼 기반 기술력 확보는 고전력 밀도, 고속 스위칭, 낮은 전력 손실 등 GaN 특유의 이점을 극대화하는 기반이 된다.

GaN 기술은 스마트폰 충전기, 태양광 인버터, 산업용 장비, 로봇 등 다양한 전력 응용 분야에서 적용되고 있으며, 고속 충전, 전력 손실 최소화, 소형화 측면에서 실리콘 대비 확실한 기술적 우위를 제공한다. 실리콘, SiC, GaN 세 가지 전력 반도체 포트폴리오를 모두 갖춘 인피니언은 다양한 응용 시장에 대응 가능한 확장성과 공급 역량을 바탕으로 고객 수요에 능동적으로 대응하고 있다.

300mm GaN 전력 웨이퍼 기술은 기존 양산 인프라 내에서 자체 개발을 완료했으며, 전력 시스템 고객에게 안정적 공급이 가능한 구조를 갖췄다. 연간 성장률 36% 수준으로 성장 중인 GaN 시장에서 제품 출시 속도를 높이기 위해 생산 역량을 계속 확장하고 있다.

지난 1년간 40종 이상의 새로운 GaN 제품이 출시됐으며, 안정성과 품질이 요구되는 전력 전자 분야에서 인피니언의 공급 신뢰도는 강화되고 있다. 시장 조사에 따르면 GaN 기반 전력 반도체 매출은 2030년까지 약 25억 달러 규모에 이를 것으로 예측된다.

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